ИГБТ против МОСФЕТ

Водитель СКАЛЭТМ-2+ИГБТ канала ИГБТ Дуа и водитель МОСФЭТ ядр Q1. Что ваши термины упаковки? А: Вообще, мы пакуем наши товары в нейт.........

Автомобильные модули IGBT FS33MR12W1M1HB70 Модули MOSFET общего назначения 5.35V 25A IGBT [Преимущество MJD] + 15 лет опыта работы с электронными.........

Деталь продукта 1. Товары запаса, заказа или изготовляя гостеприимсво.2. Заказ образца.3. Мы ответим вы для вашего дознания в 24 часах.4. Пос.........

Компания Shenzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.Добро пожаловать в нашу компанию! Мы являемся вашим универсальным поставщиком электронных компонен.......

Мост 1200 v диафрагмы поля зрения канавы модуля VS-GT75YF120NT IGBT полный держатель 118 шасси a 431 wМодули Vishay VS-GT50YF120NT IGBT Fourpack Мо.........

ДЖИ21Л повсюду встают на сторону водитель, высокое напряжение, высокоскоростной водитель МОСФЭТ силы и ИГБТ основанные на процессе П-СУБ П-ЭПИ. .........

Водители Ик МОСФЭТ и ИГБТ силы ИР2110ПБФ откалывают водителя ИК 14-ДИП ворот Полу-моста Описание ИР2110/ИР2113 высокое напряжение, высокос.........

Состояние сварочного аппарата 280A Mosfet Muttahida Majlis-E-Amal IGBT DC AC новое Сварочный аппарат Muttahida Majlis-E-Amal сварочный аппарат нового ......

Вид продукции MOSFET N-Ch 650V 34.6A TO247-3 полупроводников SPW35N60C3 IGBT CoolMOS дискретный Характеристики приложения Новая революционн.........

VS-T90RIA120 Новый и оригинальный запас [Who - Мы что?] Основанная в 1998 году компания Shenzhen CM GROUP Electronic Technology Co., Ltd.является про.......

водитель модуля IC 7MBR75UB120-50 IGBT модуля силы Mosfet 1200V 75A PIM МОДУЛЬ 7MBR75UB120-50 IGBT (серия) u 1200V/75A/PIM Характ......

Трансформатор привода ворот ФА2659-АЛ для возбуждающие контуры соединенных ворот МОСФЭТ и ИГБТ Характер продукции: Отстробируйте трансформатор привода ......

...

Водитель JY21L повсюду бортовой, высокое напряжение, высокоскоростной водитель MOSFET силы и IGBT основанные на процессе P-SUB P-EPI. Общее описа.........

Перечисление продукта: IR2104STRPBF Тип продукта: Обломок IC полупроводника Тип пакета: STRPBF Описание: IR2104STRPBF высоковольт.........

NCS20074DTBR2G — высокоскоростной драйвер сдвоенных MOSFET для мощных MOSFET и IGBT Найти информацию здесь в stock.xlsx Введение: NCS20074D.........

N-канал 600 v MOSFET транзистора силы STO33N60M6 Mosfet, тип 105 mOhm., особенность 26 a • Уменьшенные переключая потери • Более низкий RDS (дальше) в ......