Деталь		Символ	Условие	Классифицировать	Блок
Инвертор	Напряжение тока коллектор- эмиттера	Vces		1200	V
	Напряжение тока Строб-Излучателя	Vges		±20	V
	Течение сборника	Ic	Непрерывное Tc=25°C Tc=80°C	75 50	A
		Icp	1ms Tc=25°C Tc=80°C	150 100
		- Ic		75
		- ИМП ульс IC	1 госпожа	150
	Disspation силы сборника	ПК	1 прибор	275	W
Храбрейший	Напряжение тока коллектор- эмиттера	Vces		1200	V
	Напряжение тока Строб-Излучателя	Vges		±20	V
	Течение сборника	Ic	Непрерывное Tc=25°C Tc=80°C	35 25	A
	Течение сборника	Icp	1ms Tc=25°C Tc=80°C	70 50	A
	Disspation силы сборника	ПК	1 прибор	160	W
	Повторяющийся пиковое обратное напряжение	Vrrm		1200	V
Конвертер	Повторяющийся пиковое обратное напряжение	Vrrm		1600	V
	Течение средней выработки	b	волна синуса 50Hz/60Hz	75	A
	Течение пульсации (бесповторное) L2t (бесповторные)	IFSM l^2T	Tj=150°C, 10ms половинная волна синуса	520 1352	^2S
Работая температура соединения		Tj		+150	℃
Температура хранения		Tstg		-40 до +125	℃
Изоляция напряжение тока	между стержнем и медью низкопробным *2	Viso	AC: 1 минута	AC2500	V
Изоляция напряжение тока	между термистором и другими *3	Viso	AC: 1 минута	AC2500	V
	Вращающий момент винта установки			3,5 *1	N-M

Recommendable значение *1: 2,5 до 3,5 n·m (M5)

*2 все стержни должно быть соединено совместно когда испытание изоляции будет сделано.

Стержни термистора *3 2 должны быть соединены совместно, стержни одина другого должны быть соединены совместно и замкнуты накоротко к базовой платине когда испытание изоляции будет сделано.

водитель модуля IC 7MBR75UB120-50 IGBT модуля силы Mosfet 1200V 75A PIM

обломок интегральной схемаы

programmable обломоки ic

Печатная плата чипов

Диод выпрямителя тока

Транзистор Mosfet силы

3 Pin Транзистор

RJ45 локальные сети Jack

Датчик давления IC

Модуль питания Mosfet

SMD феррит

smd вело диод

SMD резисторы

Электронные IC чипы

компоненты электроники

водитель модуля IC 7MBR75UB120-50 IGBT модуля силы Mosfet 1200V 75A PIM

power mosfet driver ic

igbt power module 100a 600v

2sa1535 pnp power transistor