10*10мм2 Си-дало допинг ГаН/субстратам сапфира для транзистора ГаН Продукты шаблона ПАМ-СИАМЭН состоят из кристаллических слоев нитрида алюминия.........
Add to Cart
Модуль беспроводной связи QPD0011SR Асимметричный двуходовый дискретный транзистор GaN [Преимущество MJD] + 15 лет опыта работы с электронными ком.........
Add to Cart
...
Add to Cart
Транзистор GaN силы транзистора силы A3G20S250-01SR3 Mosfet Airfast RF, 1800-2200 MHz, 45 w Avg., 48 v этот транзистор GaN силы 45 w RF конструирован ......
Add to Cart
Параметр продукта Частота 900 МГц Прибыль 47 дБм Размер 37.3*112*19.5 мм Сила 50 Вт Плоскость мощности 1-1.5 дБ Ток подачи 2.4А.........
Add to Cart
Транзистор силы HMC199MS8ETR RF для высоких увеличения и эффективности Транзисторы силы HMC199MS8ETR RF Характер продукции: HMC199MS8ET.........
Add to Cart
дизайн Pcba платы с печатным монтажом Китая переходника силы Pd Gan usb-C 65w и собрание Pcb Обзор Вчерашний кремний достигал свои пределы..........
Add to Cart
Интегральные схемаы CGH40045F микроконтроллера IC MCU электронных блоков CGH40045F N/A Спецификация деталь зн......
Add to Cart
Антидроновый модуль, пушечный модуль, антидроновая система, защита дронов, антифПВ-супрессор 1.2 ГГц 30 Вт 1,Функциональная особенность Поддержк.........
Add to Cart
Интегральные схемаы UCC5350MCDR SOIC-8 IC изолировали водителей ворот Характер продукции: UCC53x0 семья одноканальных, изолированных водителей в.........
Add to Cart