продукты Поставщики Sign in Register

Anterwell Technology Ltd.

Anterwell Technology Ltd. Large Original stock of IC Electronics Components, Transistors, Diodes etc. High Quality, Reasonable Price, Fast Delivery.

Manufacturer from China
Сайт Участник
10 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами просят квоту
Русский язык
Главная / продукты / 3 Pin Transistor /

ТОШИБА изолировало наивысшую мощность канала ИГБТ н кремния канала ИГБТ н кремния транзистора ворот двухполярную переключая 30Дж127

Категории продукта

обломок интегральной схемаы

 [629]

programmable обломоки ic

 [290]

Печатная плата чипов

 [276]

Диод выпрямителя тока

 [509]

Транзистор Mosfet силы

 [450]

3 Pin Транзистор

 [234]

RJ45 локальные сети Jack

 [15]

Датчик давления IC

 [55]

Модуль питания Mosfet

 [72]

SMD феррит

 [113]

smd вело диод

 [42]

SMD резисторы

 [31]

Электронные IC чипы

 [509]

компоненты электроники

 [204]
контакт
Anterwell Technology Ltd.
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissSharon Yang
контактная информация
контакт
China ТОШИБА изолировало наивысшую мощность канала ИГБТ н кремния канала ИГБТ н кремния транзистора ворот двухполярную переключая 30Дж127 wholesale
  • China ТОШИБА изолировало наивысшую мощность канала ИГБТ н кремния канала ИГБТ н кремния транзистора ворот двухполярную переключая 30Дж127 wholesale

ТОШИБА изолировало наивысшую мощность канала ИГБТ н кремния канала ИГБТ н кремния транзистора ворот двухполярную переключая 30Дж127
Спросите последнюю цену
Номер модели :30Дж127
Место происхождения :Оригинал
Количество минимального заказа :20шт
Термины компенсации :T/T, Western Union, Paypal
Способность поставкы :5200PCS
Срок поставки :1 день
Упаковывая детали :пожалуйста свяжитесь я для деталей
ВКЭС :600 v
ВГЭС :±20 v
И К :30 а
ICP :60 a
Диссипация силы сборника (Тк = 25°К) :170 в
more
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

ТОШИБА изолировало канал ИГБТ н кремния транзистора ворот двухполярный

ГТ30ДЖ121

ТОШИБА изолировало наивысшую мощность канала ИГБТ н кремния канала ИГБТ н кремния транзистора ворот двухполярную переключая 30Дж127

 

 

Применения переключения наивысшей мощности

Быстрые применения переключения

 

• 4-ое поколение

• Повышени-режим

• Быстрое переключая (FS):

Равочая частота до 50 КГц (ссылка)

Быстрый ход: тф = 0,05 µс (тип.)

Низкая потеря переключения: Эра = мДж 1,00 (тип.)

: Эофф = 0,80 мДж (тип.)

 

• Низкое напряжение тока сатурации: (Сидеть) ВКЭ = 2,0 в (тип.)

 

 

 

Максимальные оценки (животики = 25°К)

 Характеристики Символ   Классифицировать  Блок
Напряжение тока коллектор- эмиттера  ВКЭС  600 В
напряжение тока Ворот-излучателя ВГЭС ±20 В
Диссипация силы сборника (Тк = 25°К) ПК  170 В
Температура соединения  Тдж  150 °К
Диапазон температур хранения  Стг т −55 до 150   °К

 

Формы волны цепи и вход-выхода измерения времени переключения

ТОШИБА изолировало наивысшую мощность канала ИГБТ н кремния канала ИГБТ н кремния транзистора ворот двухполярную переключая 30Дж127

Метки товара:

mosfet igbt

n-channel mosfet

n channel power mosfet
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4