Прибор производительности электроники MOSFET режима повышения N-канала полупроводника FDBL86066-F085 Фэйрчайлда

Спросите последнюю цену

Номер модели :FDBL86066-F085

Место происхождения :Оригинал

Количество минимального заказа :1

Условия оплаты :L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram

Способность поставки :999999

Срок поставки :1-3 дни

Упаковывая детали :Стандарт

Стеките к напряжению тока источника (Vdss) :100 v

Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C :185A (Tc)

Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) :10V

Rds на (Макс) @ id, Vgs :4.1mOhm @ 80A, 10V

Id Vgs (th) (Макс) @ :4V @ 250µA

Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs :69 nC @ 10 v

контакт

Add to Cart

Метки товара:

n channel power mosfet

Запрос Корзина 0

Тип FET	N-канал
Технология	MOSFET (металлическая окись)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss)	100 v
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C	185A (Tc)
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше)	10V
Rds на (Макс) @ id, Vgs	4.1mOhm @ 80A, 10V
Id Vgs (th) (Макс) @	4V @ 250µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs	69 nC @ 10 v
Vgs (Макс)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds	3240 pF @ 50 v
Особенность FET	-
Диссипация силы (Макс)	300W (животики)
Рабочая температура	-55°C \| 175°C (TJ)
Устанавливать тип	Поверхностный держатель
Пакет прибора поставщика	8-HPSOF
Пакет/случай	8-PowerSFN