Shenzhen Canyi Technology Co., Ltd.

КО. технологии Шэньчжэня Каньи, Лтд. Ваш самый лучший выбор поставщика электронного блока

Manufacturer from China
Активный участник
8 лет
Главная / продукты /

Транзистор влияния поля

контакт
Shenzhen Canyi Technology Co., Ltd.
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Контактное лицо:MrPeng
контакт
1 - 10 из 31

 Транзистор влияния поля

МОСФЭТ силы режима повышения триода канала п транзистора влияния поля МС2301

П-канал транзистора 2301 -20В -2.8А СОТ-23 электронных блоков А1СХБ Характер продукции Выдвинутые пользы МС2301А вскапывают технологи......
контакт

Add to Cart

Держатель поверхности трубки МОС транзистора влияния поля МС3401 электронных блоков -30В ВДС

П-канал транзистора -30В -4.2А СОТ-23-3Л электронных блоков МС3401 Описание Выдвинутые пользы МС3401 вскапывают технологию для того чт......
контакт

Add to Cart

Поверхностный транзистор наивысшей мощности п держателя МС3407 - тип канала РоХС аттестовал

Канал п транзистора влияния поля электронных блоков МС3407 в запас Характер продукции Наивысшая мощность и настоящая вручая возможност......
контакт

Add to Cart

Двойной н - дизайн клетки транзистора влияния поля МСН3312 канала хигх-денситы для переключения силы

Транзистор влияния поля МСН3312 двойной н - Мосфет силы режима повышения канала Характер продукции Выдвинутые пользы МСН3312 вскапыва......
контакт

Add to Cart

пластмасса транзистора канала н транзистора влияния поля 2Н7002 помещает МОСФЭТС

П-канал транзистора 2301 -20В -2.8А СОТ-23 электронных блоков А1СХБ Характер продукции Выдвинутые пользы МС2301А вскапывают технологи......
контакт

Add to Cart

Транзистор Мосфет Мос аудио/высокочастотный усилитель транзистора

Транзистор Мосфет Мос аудио/высокочастотный усилитель транзистора Аудио применение транзистора МосфетУправление мотора ДКАвтомобильные примененияБеспе...
контакт

Add to Cart

Органический транзистор влияния поля канала н для электронного балласта лампы

Органический транзистор влияния поля канала н для электронного балласта лампы Особенности транзистора влияния поля канала нВысокое входное комплексное...
контакт

Add to Cart

Высокий транзистор канала н входного комплексного сопротивления, транзистор 600В излучения поля

Высокий транзистор канала н входного комплексного сопротивления, транзистор 600В излучения поля Особенности транзистора канала н Высокое в......
контакт

Add to Cart

Транзистор влияния поля полупроводника металлической окиси с сертификатом РоХС

Транзистор влияния поля полупроводника металлической окиси с сертификатом РоХС Особенности транзистора влияния поля полупроводника металлическ......
контакт

Add to Cart

Транзистор Джфет наивысшей мощности ОЭМ, усилитель транзистора 650В Нпн

Транзистор Джфет наивысшей мощности ОЭМ, усилитель транзистора 650В Нпн Особенности транзистора Джфет силы Высокое входное комплексное......
контакт

Add to Cart

Запрос Корзина 0