SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
КО. ТОРГОВЛЕЙ ШАНХАЯ ИЗВЕСТНОЕ, ЛТД
Add to Cart
Вафля GaAs ранга VGF 2inch 4inch 6inch n типа основная для эпитаксиального роста
Вафля GaAs (арсенид галлия) выгодная альтернатива к кремнию который эволюционировал в индустрии полупроводника. Меньше расхода энергии и больше эффективности предложенных вафлями этого GaAs привлекают игроков рынка для принятия этих вафель, таким образом увеличивая требование для вафли GaAs. Вообще, эта вафля использована для того чтобы изготовить полупроводники, светоизлучающие диоды, термометры, радиотехнические схемы, и барометры, кроме обнаружения применения в производстве низких плавя сплавов. Как полупроводник и радиотехническая схема индустрии продолжаются касаться новым пикам, рынок GaAs гремят. Арсенид галлия вафли GaAs имеет силу генерации лазерного луча от электричества. Особенно поликристаллический и одиночный кристалл главный тип 2 вафель GaAs, которые использованы в продукции как микроэлектроники, так и оптической электроники для создания LD, СИД, и цепей микроволны. Поэтому, обширный ряд применений GaAs, особенно в оптической электронике и индустрии микроэлектроники создает приток требования в рынке вафли theGaAs. Ранее, электронно-оптические приборы главным образом были использованы на широком ряде в кракторейсовых оптических связях и периферийных устройствах компьютера. Но теперь, они в требовании для некоторых вытекая применений как LiDAR, увеличенная реальность, и распознавание лиц. LEC и VGF 2 популярных метода который улучшают продукцию вафли GaAs с высоким единообразием электрических свойств и превосходного качества поверхности. Подвижность электрона, одиночный диапазон-зазор соединения, более высокая эффективность, сопротивление жары и влаги, и главная гибкость 5 отдельных преимуществ GaAs, которые улучшают принятие вафель GaAs в индустрии полупроводника.
Чего мы обеспечиваем:
|
Деталь
|
Y/N
|
Деталь
|
Y/N
|
Деталь
|
Y/N
|
|
Кристалл GaAs
|
да
|
Электронная ранг
|
да
|
Тип n
|
да
|
|
Пробел GaAs
|
да
|
Ультракрасная ранг
|
да
|
Тип p
|
да
|
|
Субстрат GaAs
|
да
|
Ранг клетки
|
да
|
Undoped
|
да
|
|
Вафля epi GaAs
|
да
|
||||
| GaAs (арсенид галлия) для применений СИД | ||
| Деталь | Спецификации | Примечания |
| Тип кондукции | SC/n-type | |
| Метод роста | VGF | |
| Dopant | Кремний | |
| Вафля Diamter | 2, 3 & 4 дюйма | Слиток или как-отрезок доступные |
| Ориентировка кристаллов | (100) 2°/6°/15° с (110) | Другое misorientation доступное |
| EJ или США | ||
| Концентрация несущей | (0.4~2.5) E18/cm3 | |
| Резистивность на RT | (1.5~9) E-3 Ohm.cm | |
| Подвижность | 1500~3000 cm2/V.sec | |
| Плотность ямы травления | <500> | |
| Маркировка лазера | по требованию | |
| Поверхностный финиш | P/E или P/P | |
| Толщина | 220~350um | |
| Эпитаксия готовая | Да | |
| Пакет | Одиночные контейнер или кассета вафли | |
|
GaAs (арсенид галлия), Полу-изолируя для применений микроэлектроники
|
||
|
Деталь
|
Спецификации
|
Примечания
|
|
Тип кондукции
|
Изолировать
|
|
|
Метод роста
|
VGF
|
|
|
Dopant
|
Undoped
|
|
|
Вафля Diamter
|
2, 3, 4 & 6 дюйма
|
Слиток доступный
|
|
Ориентировка кристаллов
|
(100) +/- 0.5°
|
|
|
EJ, США или зазубрина
|
|
|
|
Концентрация несущей
|
n/a
|
|
|
Резистивность на RT
|
>1E7 Ohm.cm
|
|
|
Подвижность
|
>5000 cm2/V.sec
|
|
|
Плотность ямы травления
|
<8000>
|
|
|
Маркировка лазера
|
по требованию
|
|
|
Поверхностный финиш
|
P/P
|
|
|
Толщина
|
350~675um
|
|
|
Эпитаксия готовая
|
Да
|
|
|
Пакет
|
Одиночные контейнер или кассета вафли
|
|
| Нет. | Деталь | Стандартные технические условия | |||||
| 1 | Размер | 2" | 3" | 4" | 6" | ||
| 2 | Диаметр | mm | 50.8±0.2 | 76.2±0.2 | 100±0.2 | 150±0.5 | |
| 3 | Метод роста | VGF | |||||
| 4 | Данный допинг | ООН-данный допинг, или Si-данный допинг, или Zn-данный допинг | |||||
| 5 | Тип проводника | N/A, или SC/N, или SC/P | |||||
| 6 | Толщина | μm | (220-350) ±20 или (350-675) ±25 | ||||
| 7 | Ориентировка кристаллов | <100>±0.5 или 2 | |||||
| Вариант ориентации OF/IF | EJ, США или зазубрина | ||||||
| Квартира ориентации () | mm | 16±1 | 22±1 | 32±1 | - | ||
| Квартира идентификации (ЕСЛИ), то | mm | 8±1 | 11±1 | 18±1 | - | ||
| 8 | Резистивность | (Не для Механический Ранг) |
Ω.cm | (1-30) „107, или (0.8-9) „10-3, или 1' 10-2-10-3 | |||
| Подвижность | см2/v.s | ≥ 5 000, или 1,500-3,000 | |||||
| Концентрация несущей | см-3 | (0.3-1.0) x1018, или (0.4-4.0) x1018, или как SEMI |
|||||
| 9 | TTV | μm | ≤10 | ||||
| Смычок | μm | ≤10 | |||||
| Искривление | μm | ≤10 | |||||
| EPD | см-2 | ≤ 8 000 или ≤ 5 000 | |||||
| Фронт/задняя поверхность | P/E, P/P | ||||||
| Профиль края | Как SEMI | ||||||
| Подсчет количества частиц | <50>0,3 μm, отсчет/вафли), или КАК SEMI |
||||||
| 10 | Лазер Марк | Задняя сторона или по требованию | |||||
| 11 | Упаковка | Одиночные контейнер или кассета вафли | |||||
Деталь пакета:
