SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
КО. ТОРГОВЛЕЙ ШАНХАЯ ИЗВЕСТНОЕ, ЛТД
Add to Cart
Metod N типа 2inch/3inch VFG, 4inch, вафли арсенида галлия 6inch dia150mm GaAs N типа
Полу-изолируя тип для микроэлектроники,
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Вафли арсенида галлия (GaAs)
Арсенид галлия (GaAs) смесь элементов галлия и мышьяка. Это полупроводник bandgap III-V сразу
с кристаллической структурой сфалерита цинка.
Арсенид галлия использован в изготовлении приборов как интегральные схемаы частоты микроволны, монолитовом
интегральные схемаы микроволны, ультракрасные светоизлучающие диоды, лазерные диоды, фотоэлементы и оптически окна. [2]
GaAs часто использован как материал субстрата для эпитаксиального роста других полупроводников III-V включая арсенид галлия индия,
алюминиевый арсенид галлия и другие.
.
Особенность и применение вафли GaAs
| Особенность | Область применения |
|---|---|
| Высокая подвижность электрона | Светоизлучающие диоды |
| Частота коротковолнового диапазона | Лазерные диоды |
| Высокая эффективность преобразования | Фотовольтайческие приборы |
| Потребление низкой мощности | Высокий транзистор подвижности электрона |
| Сразу зазор диапазона | Транзистор гетероперехода двухполярный |
Спецификация
Undoped GaAs
Полу-изолируя спецификации GaAs
| Метод роста | VGF |
| Dopant | Углерод |
| Вафля Shape* | Круг (DIA: 2", 3", 4", и 6") |
| Поверхностная ориентация ** | (100) ±0.5° |
» Вафли *5 доступные по требованию
** Другие ориентации возможно доступные по требованию
| Резистивность (Ω.cm) | ≥1 × 107 | ≥1 × 108 |
| Подвижность (см2 /V.S) | ≥ 5 000 | ≥ 4 000 |
| Вытравите плотность тангажа (см2) | 1,500-5,000 | 1,500-5,000 |
| Диаметр вафли (mm) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | 150±0.3 |
| Толщина (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | 675±25 |
| TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 |
| TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
| ИСКРИВЛЕНИЕ (µm) | ≤10 | ≤10 | ≤10 | ≤5 |
| (mm) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | ЗАЗУБРИНА |
| /ЕСЛИ (mm), то | 7±1 | 12±1 | 18±1 | N/A |
| Polish* | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P |
*E=Etched, P=Polished
Родственные продукты для списка инвентаря | |
вафля арсенида галлия SI-Dopant 2 дюймов N типа, SSP/DSP | Применения LED/LD |
вафля арсенида галлия SI-Dopant 4 дюймов N типа, SSP/DSP | Применения LED/LD |
вафля арсенида галлия SI-Dopant 6 дюймов N типа, SSP/DSP | Применения LED/LD |
вафля арсенида галлия 2 дюймов Undoped, SSP/DSP | Применения микроэлектроники |
вафля арсенида галлия 4 дюймов Undoped, SSP/DSP | Применения микроэлектроники |
вафля арсенида галлия 6 дюймов Undoped, SSP/DSP | Применения микроэлектроники |
Пакет & доставка
ВОПРОСЫ И ОТВЕТЫ & КОНТАКТ
Это Эрик wang, администраторов по сбыту zmkj, наша компания расположенная в Шанхае, Китае. Наша продолжительность эксплуатации все время от понедельника - субботы. Мы огорченны для неудобства причиненного разницой во времени. Если любые вопросы, вы могут выйти моей электронной почте сообщение и также добавить мое WeChat, что приложение, Skype, я будут онлайн. Добро пожаловать, который нужно связаться я!
Q: Вы торговая компания или изготовитель? : Мы имеем наши для изготовлять вафли.
Q: Сколько времени ваш срок поставки? : Вообще 1-5 дней если товары в запасе, то если не, он для 2-3weeks
Q: Вы обеспечиваете образцы? он свободно или дополнительные? : Да, мы смогли предложить свободный образец некоторым размером.
Q: Что ваши условия платежа? : для первого дела 100% перед доставкой.