InAsSb/In-AsPSb, InNAsSb и другие материалы гетероперехода можно вырасти на кристалле InAs одиночном как субстрат, и ультракрасный светоизлучающий прибор с длиной волны μm 2 до 14 можно изготовить. Материал структуры сверхрешетки AlGaSb может также эпитаксиально вырастись путем использование субстрата InAs одиночного кристаллического. Средний-ультракрасный лазер каскада суммы. Эти ультракрасные приборы имеют хорошие перспективы применения в полях контроля газа, малопотертой связи волокна, etc. к тому же, кристаллы InAs одиночные имеют высокую подвижность электрона и идеальные материалы для делать приборы Hall.

Применения:
Кристалл InAs одиночный можно использовать как материал субстрата для того чтобы вырасти, что материал гетероструктуры как InAsSb/InAsPSb или InAsPSb изготовил ультракрасный светоизлучающий прибор имея длину волны μm 2-12. Материал структуры сверхрешетки InAsPSb может также эпитаксиально вырастись путем использование субстрата InAs одиночного кристаллического для того чтобы изготовить средний-ультракрасный лазер каскада суммы. Эти ультракрасные приборы имеют хорошие перспективы применения в поле обнаружения газа и малопотертой связи волокна. К тому же, кристаллы InAs одиночные имеют высокую подвижность электрона и идеальный материал для делать приборы Hall.

Особенности:
1. Кристалл растется жидкост-загерметизированной технологией прям-чертежа (LEC), со зрелой технологией и стабилизированным электрическим представлением.
2, используя аппаратуру рентгеновского снимка дирекционную для точной ориентации, отступление ориентировки кристаллов только ±0.5°
3, вафля отполированы химической механической полируя (CMP) технологией, шероховатость поверхности <0> 4, для того чтобы достигнуть «открытой коробки готовой для использования» требований
5, согласно требованиям к потребителя, особенная обработка продукта спецификаций

кристаллический	допинг	тип		Концентрация несущей иона cm-3	подвижность (cm2/V.s)	MPD (см-2)	РАЗМЕР
InAs	ООН-допинг	N		5*1016	³ 2*104	<5>	Φ2 ″ ×0.5mm Φ3 ″ ×0.5mm
InAs	Sn	N		(5-20) *1017	>2000	<5>	Φ2 ″ ×0.5mm Φ3 ″ ×0.5mm
InAs	Zn	P		(1-20) *1017	100-300	<5>	Φ2 ″ ×0.5mm Φ3 ″ ×0.5mm
InAs	S	N		(1-10) *1017	>2000	<5>	Φ2 ″ ×0.5mm Φ3 ″ ×0.5mm
размер (mm)			Dia50.8x0.5mm, 10×10×0.5mm, 10×5×0.5mm можно подгонять
Ра			Шероховатость поверхности (Ра):<>
блеск			одиночный или двойник встаньте на сторону отполированный
пакет			полиэтиленовый пакет чистки 100 рангов в 1000 очищая комнатах

---вопросы и ответы –

Q: Вы торговая компания или изготовитель?

: zmkj торговая компания но имеет изготовитель сапфира
как поставщик вафель материалов полупроводника для широкой пяди применений.

Q: Сколько времени ваш срок поставки?

: Вообще 5-10 дней если товары в запасе. или 15-20 дней если товары нет

в запасе, оно согласно количеству.

Q: Вы обеспечиваете образцы? он свободно или дополнительные?

: Да, мы смогли предложить обязанность образца бесплатно но не оплачиваем цену перевозки.

Q: Что ваши условия платежа?

: Payment=1000USD<>,
50% T/T заранее, баланс перед пересылкой.
Если вы имеете другой вопрос, то pls чувствуют свободными связаться мы как ниже:

Метки товара: