китай категории
Русский язык

Полупроводники канала ГТ50Н322А 50Н322 ИГБТ н дискретные через держатель отверстия

Номер модели:ГТ50Н322А
Место происхождения:Китай
Количество минимального заказа:10
Условия оплаты:T/T, западное соединение
Способность поставки:500000PCS
Срок поставки:2-15days
контакт

Add to Cart

Проверенные Поставщика
Shenzhen Hongkong China
Адрес: 1607B Прибрежное строительство Восточный блок Наншанский район Шэньчжэнь Китай 518000
последний раз поставщика входа: в рамках 28 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

GT50N322A 50N322 Toshiba America Electronic Components IGBT N-Channel 1000V 3-Pin TO-3P(N) DISCRETE IGBT Компоненты

Технические характеристики продукта

Номер частиГТ50Н322А
Базовый номер детали50Н322
ЕС RoHSСоответствует освобождению
ECCN (США)EAR99
Статус деталиАктивный
ХТС8541.29.00.95
SVHCда
SVHC превышает пороговое значениеда
АвтомобильныйНет
PPAPНет
Категория продуктаБТИЗ
Стандартное имя пакетаТО3П
Пакет поставщиковТО220-3П
МонтажЧерез отверстие
Ведущая формаЧерез отверстие


Дополнительные МОП-транзисторы STMicroelectronics:

СТБ41Н40ДМ6АГ
СТП8Н120К5
STL64N4F7AG
СТБ24Н60М6
СТБ35Н65ДМ2
СТБ45Н30М5
СТФ33Н60М6
СТИ24Н60М6
СТП24Н60М6
СТП33Н60М6
СТВ24Н60М6
СТО33Н60М6
СТВ70Н60ДМ6
СТО36Н60М6
SCTW35N65G2VAG
СТП46Н60М6
СТВ75Н60ДМ6
СТЛ26Н60ДМ6
СТЛ13Н60М6
СТЛ12Н60М6
STW48N60M6
SCTWA90N65G2V-4
СТВА70Н65ДМ6
STL210N
China Полупроводники канала ГТ50Н322А 50Н322 ИГБТ н дискретные через держатель отверстия supplier

Полупроводники канала ГТ50Н322А 50Н322 ИГБТ н дискретные через держатель отверстия

Запрос Корзина 0