16 обломок ИК ССТ25ВФ016Б флэш-памяти Мбит СПИ серийный с гибкой возможностью стирания
Номер модели:ССТ25ВФ016Б
Место происхождения:Первоначально фабрика
Количество минимального заказа:10pcs
Термины компенсации:T/T, Западная Union，PAYPAL
Способность поставкы:100000pcs
Срок поставки:1-3days
контакт
Add to Cart
Активный участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес:
Комната 1120, пол 11рд, новое здание Азии Гуоли, район Футян, город Шэньчжэня, провинция Гуандун Китай, застежка-молния: 518031
последний раз поставщика входа:
в рамках 14 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
16 микросхема ССТ25ВФ016Б ИК обломока флэш-памяти Мбит СПИ серийная с гибкой возможностью стирания
ОБЩИЕ ОПИСАНИЯ
Семья 25 серий серийная внезапная отличает четырехпроводным, СПИ-совместимым интерфейсом который учитывает низкий пакет штыр-отсчета который занимает меньше космоса доски и в конечном счете понижает общие стоимости системы. Приборы ССТ25ВФ016Б увеличены с улучшенной равочей частотой и даже понижают расход энергии чем первоначальные приборы ССТ25ВФксксксА.
Флэш-памяти ССТ25ВФ016Б СПИ серийные изготовлены с собственнической, высокопроизводительной технологией КМОС СуперФлаш. Инжектор дизайна и толст-окиси клетки разделени-ворот прокладывая тоннель достигает лучшей надежности и мануфактурабилиты сравненных с другими подходами. Приборы ССТ25ВФ016Б значительно улучшают представление и надежность, пока понижающ расход энергии.
Приборы пишут (программа или стирание) с одиночным электропитанием 2.7-3.6В для ССТ25ВФ016Б. Уничтоженная полная энергия функция подводимого напряжения, течения, и времени применения. В виду того что для любого, который дали ряда напряжения тока, технология СуперФлаш использует более менее настоящий для программирования и имеет более короткое время стирания, полная энергия уничтоженная во время любой деятельности стирания или программы чем альтернативные технологии флэш-памяти.
ОСОБЕННОСТИ
• Одиночное напряжение тока прочитало и пишет деятельность
- 2.7-3.6В
• Архитектура последовательного интерфейса
- СПИ совместимое: Режим 0 и режим 3
• Высокоскоростная тактовая частота
- До 50 МХз
• Главная надежность
- Выносливость: 100 000 циклов (типичный)
- Больше чем 100 лет удерживания данных
• Потребление низкой мощности:
- Активе прочитал течение: 10 мам (типичных)
- Резервное течение: µА 5 (типичное)
• Гибкая возможность стирания
- Форма 4 участка кбайта
- Форма 32 блока верхнего слоя кбайта
- Форма 64 блока верхнего слоя кбайта
• Голодают стирание и Байт-программа:
- Время Обломок-стирания: госпожа 35 (типичная)
- Время Сектор-/Блок-Эрасе: госпожа 18 (типичная)
- Время Байт-программы: 7 µс (типичных)
• Автоматическое программирование (AAI) инкремента адреса
- Уменьшите время полного обломока программируя над деятельностью Байт-программы
• Конц--напишите обнаружение
- Программное обеспечение провождать голосование бит занятости в регистре состояния
- Занятый отсчет состояния на ТАК штыре в режиме ААИ
• Держите Пин (ХОЛД#)
- Приостанавливает серийную последовательность к памяти без отсеивать прибор
• Напишите защиту (ВП#)
- Включает/выводит функцию из строя закрытия регистра состояния
• Программное обеспечение пишет защиту
- Напишите защиту через биты Блок-защиты в регистре состояния
• Диапазон температур
- Реклама: 0°К к +70°К
- Промышленный: -40°К к +85°К
• Пакеты доступные
- 8-леад СОИК (200 мильс)
- 8-контакт ВСОН (6мм кс 5мм)
• Все приборы РоХС уступчивое
16 обломок ИК ССТ25ВФ016Б флэш-памяти Мбит СПИ серийный с гибкой возможностью стирания
Запрос Корзина
0