Н печатает, субстрат ИнСб, 3", фиктивная ранг - сложный полупроводник
Место происхождения:Китай
Количество минимального заказа:1-10,000пкс
Термины компенсации:T/T
Способность поставкы:10 000 вафель/месяц
Срок поставки:5-50 рабочих дней
Упаковывая детали:Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в одиночном контейнере, под атмосферой азо
контакт
Add to Cart
Активный участник
Xiamen Fujian China
Адрес:
#506B, деловый центр Henghui, No.77, дорога Lingxia Nan, высокотехнологичная зона, Huli, Xiamen 361006, Китай
последний раз поставщика входа:
в рамках 11 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
Н печатает, субстрат ИнСб, 3", фиктивная ранг - сложный полупроводник
ПАМ-СИАМЭН изготовляет вафли ИнСб одиночного кристалла особой чистоты (антимонида индия) для фотодиодов или фотоелектроманьетик прибора, датчиков магнитного поля используя магнетосопротивление или эффекта Холла, быстрых транзисторов (по отоношению к динамическому переключению) должных к высокой подвижности несущей ИнСб, в некоторых из детекторов ультракрасной камеры массива на космическом телескопе Спицер. Наши стандартные диаметры вафли выстраивают в ряд от 1 дюйма до 3 дюйма, вафли можно произвести в различных толщинах и различных ориентациях (100), (111), (110) с отполированными вафлями и пустыми вафлями. ПАМ-СИАМЭН может произвести ранги широкого диапазона: основная ранг, ранг теста, фиктивная ранг, механическая ранг, и оптически ранг. ПАМ-СИАМЭН также предлагают материал ИнСб к спецификациям клиента запросом, в дополнение к изготовленным на заказ составам для применений рекламы и исследования и новых собственнических технологий.
Н печатает, субстрат ИнСб, 3", фиктивная ранг
| Спецификация вафли | |
| Деталь | Спецификации |
| Диаметр вафли |
3 ″ 76.2±0.4мм |
| Ориентировка кристаллов |
″ 3 (111) АорБ±0.1° |
| Толщина |
3 ″ 800ор900±25ум |
| Основная плоская длина |
3 ″ 22±2мм |
| Вторичная плоская длина |
3 ″ 11±1мм |
| Поверхностный финиш | П/Э, П/П |
| Пакет | Эпи-готовые, одиночные контейнер вафли или кассета КФ |
| Электрический и дающ допинг спецификации | |||
| Тип кондукции | н типа | н типа | н типа |
| Допант | Теллурий | Низкий теллурий | Высокий теллурий |
| См-2 ЭПД | ≤50 | ||
| ² В-1с-1 см подвижности | ≥2.5*104 | ≥2.5*105 | Не определенный |
| Концентрация несущей км-3 | (1-7) *1017 | 4*1014-2*1015 | ≥1*1018 |
Оптически свойства вафли ИнСб
| Ультракрасный Р.И. | 4,0 |
| Радиационный коэффициент рекомбинации | 5·10-11 км3с-1 |
Ультракрасный Р.И.
Для 120К < T="">
| Р.И. н против энергии фотона, К. 300. | |
| Нормальная отражательная способность падения против энергии фотона,
К. 300. | |
| Показатель поглощения около внутреннеприсущего края поглощения, т =
2К |
МеВ энергии РС1= 0,5 Рйдберг основного состояния.
| Показатель поглощения около внутреннеприсущего края поглощения для
различных температур | |
| Край поглощения чистого ИнСб. Т (К): 1. 298; 2. 5К; | |
| Показатель поглощения против энергии фотона, т = К. 300. | |
| Показатель поглощения против энергии на различных давая допинг
уровнях, н-ИнСб фотона, т = 130 к никакой (км-3): 1. 6,6·1013; 2. 7,5·1017; 3. 2,6·1018; 4. 6·1018; | |
| Показатель поглощения против энергии на различных давая допинг
уровнях, п-ИнСб фотона, т = 5К. по (км-3): 1. 5,5·1017; 2. 9·1017; 3. 1,6·1018; 4. 2,6·1018; 5. 9,4·1018; 6. 2·1019; |
Вы ищете субстрат ИнСб?
ПАМ-СИАМЭН гордо предложить субстрат фосфида индия для всех различных видов проектов. Если вы ищете вафли ИнСб, то отправьте нами дознание сегодня для того чтобы выучить больше о том, как мы можем работать с вами для того чтобы получить вам вафли ИнСб вам для вашего следующего проекта. Наша команда группы смотрит вперед к обеспечивать и качественные продучты и превосходное обслуживание для вас!
Н печатает, субстрат ИнСб, 3", фиктивная ранг - сложный полупроводник
Запрос Корзина
0