16 обломок IC SST25VF016B флэш-памяти Mbit SPI серийный с гибкой возможностью стирания
Номер модели:SST25VF016B
Место происхождения:Первоначальная фабрика
Количество минимального заказа:10pcs
Условия оплаты:T/T, западное соединение, PayPal
Способность поставки:100000pcs
Срок поставки:1-3days
контакт
Add to Cart
Активный участник
Shenzhen China
Адрес:
Комната 1204, здание Dingcheng международное, дорога ZhenHua, район Futian, Шэньчжэнь, Китай.
последний раз поставщика входа:
в рамках 48 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
16 микросхема SST25VF016B IC обломока флэш-памяти Mbit SPI серийная с гибкой возможностью стирания
ОБЩИЕ ОПИСАНИЯ
Семья 25 серий серийная внезапная отличает четырехпроводным, SPI-совместимым интерфейсом который учитывает низкий пакет штыр-отсчета который занимает меньше космоса доски и в конечном счете понижает общие стоимости системы. Приборы SST25VF016B увеличены с улучшенной равочей частотой и даже более низким расходом энергии чем первоначальные приборы SST25VFxxxA.
Флэш-памяти SST25VF016B SPI серийные изготовлены с собственнической, высокопроизводительной технологией CMOS SuperFlash. Инжектор дизайна и толст-окиси клетки разделени-ворот прокладывая тоннель достигает лучшей надежности и manufacturability сравненных с другими подходами. Приборы SST25VF016B значительно улучшают представление и надежность, пока понижающ расход энергии.
Приборы пишут (программа или стирание) с одиночным электропитанием 2.7-3.6V для SST25VF016B. Уничтоженная полная энергия функция подводимого напряжения, настоящий, и времени применения. С тех пор для любого, который дали ряда напряжения тока, технология SuperFlash использует более менее настоящее к программе и имеет более короткое время стирания, полную энергию уничтоженную во время любого стирания или деятельность программы более менее чем альтернативные технологии флэш-памяти.
ОСОБЕННОСТИ
• Одиночное чтение напряжения тока и написать деятельность
- 2.7-3.6V
• Архитектура последовательного интерфейса
- SPI совместимое: Режим 0 и режим 3
• Высокоскоростная тактовая частота
- До 50 MHz
• Главная надежность
- Выносливость: 100 000 циклов (типичный)
- Больше чем 100 лет удерживания данных
• Потребление низкой мощности:
- Активное прочитанное течение: 10 мам (типичных)
- Резервное течение: µA 5 (типичное)
• Гибкая возможность стирания
- Равномерные 4 участка кбайта
- Равномерные 32 блока верхнего слоя кбайта
- Равномерные 64 блока верхнего слоя кбайта
• Быстрые стирание и Байт-программа:
- Время Обломок-стирания: госпожа 35 (типичная)
- Время Sector-/Block-Erase: госпожа 18 (типичная)
- Время Байт-программы: 7 µs (типичных)
• Автоматическое программирование инкремента адреса (AAI)
- Время обломока итога уменшения программируя над деятельностью Байт-программы
• Конц--напишите обнаружение
- Программное обеспечение провождать голосование бит занятости в регистре состояния
- Занятый отсчет состояния на ТАК штыре в режиме AAI
• Pin владением (HOLD#)
- Приостанавливает серийную последовательность к памяти без отсеивать прибор
• Напишите защиту (WP#)
- Включает/выводит функцию из строя закрытия регистра состояния
• Программное обеспечение пишет защиту
- Напишите защиту через биты Блок-защиты в регистре состояния
• Диапазон температур
- Реклама: 0°C к +70°C
- Промышленный: -40°C к +85°C
• Пакеты доступные
- 8-lead SOIC (200 mils)
- 8-contact WSON (6mm x 5mm)
• Все приборы RoHS уступчивое
16 обломок IC SST25VF016B флэш-памяти Mbit SPI серийный с гибкой возможностью стирания
Запрос Корзина
0