Продукты полупроводника IGBT FGHL75T65LQDTL4 Fs4 дискретные низкое Vcesat 50V 75A TO2
Номер модели:FGHL75T65LQDTL4
Количество минимального заказа:50pcs
Пробой напряжения коллектор-эмиттер (макс.):650 В
Ток - коллектор (Ic) (макс.):80 А
Настоящий - пульсированный сборник (Icm):300 a
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:1.35V @ 15V, 75A
контакт
Add to Cart
Проверенные Поставщика
Shenzhen China
Адрес:
Room 3001-2, Tower A, World Trade Plaza, No. 9 Fuhong Road, Futian District, Shenzhen
последний раз поставщика входа:
в рамках 23 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
FGHL75T65LQDTL4 FS4 НИЗКОЕ VCESAT IGBT 650V 75A TO2
| Атрибуты продукта | |
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Категория | Дискретные продукты полупроводника |
| Транзисторы - IGBTs - одиночные | |
| Mfr | onsemi |
| Серия | - |
| Пакет | Трубка |
| Состояние продукта | Активный |
| Тип IGBT | Диафрагма поля зрения канавы |
| Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс) | 650 v |
| Настоящий - сборник (Ic) (Макс) | 80 a |
| Настоящий - пульсированный сборник (Icm) | 300 a |
| Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic | 1.35V @ 15V, 75A |
| Сила - Макс | 469 w |
| Переключая энергия | 1.01mJ (дальше), 2.53mJ () |
| Тип входного сигнала | Стандарт |
| Обязанность ворот | 779 nC |
| °C 25 Td (включено-выключено) @ | 40ns/548ns |
| Условие испытаний | 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V |
| Обратное время восстановления (trr) | 87 ns |
| Рабочая температура | -55°C | 175°C (TJ) |
| Устанавливать тип | Через отверстие |
| Пакет/случай | TO-247-4 |
| Пакет прибора поставщика | TO-247-4L |
Продукты полупроводника IGBT FGHL75T65LQDTL4 Fs4 дискретные низкое Vcesat 50V 75A TO2
Запрос Корзина
0