вафли 4Inch 6INCH GaN-на-Si GaN-на-SiC Epi для применения RF

8 дюймов 12 дюймов 6 дюймов GAN-ON-SI EPI-WAFERS для применения микро-LED

8 дюймовые 100 мм 150 мм 200 мм 300 мм GAN-ON-SI EPI-WAFERS для питания

ГаН эпитаксиальная пластина (GaN EPI на Кремниевом)
Галлиевый нитрид (GaN) широко используется в силовых устройствах и диодах, излучающих голубой свет, из-за его широкого энергетического разрыва.

Введение
Для удовлетворения этих потребностей необходимо увеличить энергосбережение и достичь прогресса в информационных и коммуникационных системах.мы разработали полупроводниковый субстрат с широким диапазоном с нитридом галлия (GaN) в качестве полупроводникового материала следующего поколения.
Концепция: выращивая однокристаллические тонкие пленки GaN на кремниевых подложках, мы можем производить большие, недорогие полупроводниковые подложки для устройств следующего поколения

.
Цель: для бытовой техники: коммутаторы и инверторы с отказовым напряжением в сотнях. для базовых станций мобильной связи: высокомощные и высокочастотные транзисторы.
Преимущества: наши кремниевые субстраты дешевле выращивать GaN, чем другие карбиды кремния или сапфировые субстраты, и мы можем предоставить устройства GaN, адаптированные к требованиям клиентов.

Глоссарий
разрыв в широкой полосе
Band gap refers to the energy field formed by the band structure in a crystal that does not contain electrons (semiconductor materials with a band gap larger than silicon are often referred to as wide band gap semiconductors)Широкополосный материал с хорошей оптической прозрачностью и высоким электрическим разрывом напряжения

Гетеросоединение
Как правило, в полупроводниковой области относительно тонкие пленки полупроводниковых материалов с различным составом накладываются друг на друга.В случае смешанных кристалловБлагодаря этим интерфейсам создается слой двумерного электронного газа с высокой мобильностью электронов.