Главная / продукты / Semiconductor Triode /

ТИП117 сильнотоковый транзистор, утечка транзистора переключателя мощности низкая

Категории продукта

Транзистор силы Mosfet

Транзисторы силы подсказки

Транзистор силы кремния

Двойной переключая диод

Транзистор влияния поля Mos

Удваивает - Mosfet канала

Быстрый диод выпрямителя тока спасения

Стабилитрон силы

Выпрямитель по мостиковой схеме Schottky

Высоковольтный диод выпрямителя тока

Триод полупроводника

Стабилизатор IC напряжения тока

контакт

CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Город:shenzhen

Область/Штат:guangdong

Страна/регион:china

Контактное лицо:MrDavid Lee

контактная информация

контакт

China ТИП117 сильнотоковый транзистор, утечка транзистора переключателя мощности низкая wholesale

China ТИП117 сильнотоковый транзистор, утечка транзистора переключателя мощности низкая wholesale

ТИП117 сильнотоковый транзистор, утечка транзистора переключателя мощности низкая

Спросите последнюю цену

Место происхождения :Шэньчжэнь Китай

Количество минимального заказа :1000-2000 ПК

Упаковывая детали :Положенный в коробку

Срок поставки :1 до 2 недели

Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное

Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день

Номер модели :TIP117

Тип :Триод полупроводника

Транзистор Mosfet силы :Помещенная пластмасса ТО-220-3Л -

Удостоверение личности продукта :TIP117

Функция :Высокое увеличение ДК настоящее

Течение сборника :-2А

Диссипация силы сборника :2w

more

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

Пластмасса ТО-220-3Л - помещенный ТРАНЗИСТОР транзисторов ТИП117 ДАРЛИНГТОН (НПН)

ОСОБЕННОСТЬ

Высокое увеличение ДК настоящее
Низкое напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера
Комплементарный к ТИП112

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (Та=25℃ если не указано иное)

Символ	Параметр	Значение	Блок
ВКБО	Напряжение тока коллектора- база	-100	В
ВКЭО	Напряжение тока коллектор- эмиттера	-100	В
ВЭБО	Напряжение тока Излучател-основания	-5	В
И_К	Течение сборника	-2	А
П_К	Диссипация силы сборника	2	В
РθДжА	Термальное сопротивление от соединения к окружающему	63	℃/В
Т_дж	Температура соединения	150	℃
Цтг	Температура хранения	-55~+150	℃

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Та=25℃ если не указано иное)

Параметр	Символ	Условия испытаний	Минута	Тип	Макс	Блок
Пробивное напряжение коллектора- база	В (БР) КБО	И_К=-1мА, Т.Е. =0	-100			В
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера	В (БР) КЭО*	И_К=-30мА, И_Б=0	-100			В
пробивное напряжение Излучател-основания	В (БР) ЭБО	Т.Е. =-5МА, И_К=0	-5			В
Течение выключения сборника	ИКБО	В_КБ=-100В, Т.Е. =0			-1	мамы
Течение выключения сборника	ИКЭО	В_КЭ=-50В, И_Б=0			-2	мамы
Течение выключения излучателя	ИЭБО	В_ЭБ=-5В, И_К=0			-2	мамы
Увеличение ДК настоящее	хФЭ (1)	В_КЭ=-4В, И_К=-1А	1000		12000
	хФЭ (2)	В_КЭ=-4В, И_К=-2А	500
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера	(Сидеть) ВКЭ	И_К=-2А, И_Б=-8мА			-2,5	В
напряжение тока Основани-излучателя	ВБЭ	В_КЭ=-4В, И_К=-2А			-2,8	В
Емкость выхода сборника	Удар	В_КБ=-10В, Т.Е. =0, ф=0.1МХз			200	пФ

Размеры плана пакета ТО-220-3Л

Символ	Размеры в миллиметрах		Размеры в дюймах
	Минута	Макс	Минута	Макс
А	4,470	4,670	0,176	0,184
А1	2,520	2,820	0,099	0,111
б	0,710	0,910	0,028	0,036
б1	1,170	1,370	0,046	0,054
к	0,310	0,530	0,012	0,021
к1	1,170	1,370	0,046	0,054
Д	10,010	10,310	0,394	0,406
Э	8,500	8,900	0,335	0,350
Э1	12,060	12,460	0,475	0,491
е	2,540 ТИП		0,100 ТИПА
е1	4,980	5,180	0,196	0,204
Ф	2,590	2,890	0,102	0,114
х	0,000	0,300	0,000	0,012
Л	13,400	13,800	0,528	0,543
Л1	3,560	3,960	0,140	0,156
Φ	3,735	3,935	0,147	0,155

Метки товара:

standard power mosfet

oxide fixed resistor

st mosfet

Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4