CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
6 лет
Главная / продукты / Semiconductor Triode /

Эквивалент транзистора силы ТИП110 высоковольтный НПН низко на сопротивлении

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

Эквивалент транзистора силы ТИП110 высоковольтный НПН низко на сопротивлении

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 до 2 недели
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Номер модели :TIP110
Функция :Промышленное использование
Удостоверение личности продукта :TIP110
напряжение тока Излучател-основания :5V
Течение сборника - непрерывное :2A
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

ТО-220-3Л Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов ТИП110 ДАРЛИНГТОН (НПН)

 

 

 

ОСОБЕННОСТЬ
 
  • Высокое увеличение ДК настоящее: хФЭ=1000 @ ВКЭ=4В, ИК=1А (минимальное)
  • Низкое напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера
  • Промышленная польза

 

ОЦЕНКИ АСИМУМ (животики =25℃ если не указано иное)
 
Символ Параметр Значение Блок
ВКБО Напряжение тока коллектора- база 60 В
ВКЭО Напряжение тока коллектор- эмиттера 60 В
ВЭБО Напряжение тока Излучател-основания 5 В
ИК Течение сборника - непрерывное 2 А
ПК Диссипация силы сборника 2 В
ТДж Температура соединения 150
Цтг Температура хранения -55 до +150

 

 

 

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Та=25℃ если не указано иное)

 

Параметр Символ Условия испытаний Минута Тип Макс Блок
Пробивное напряжение коллектора- база В (БР) КБО ИК=10мА, Т.Е. =0 60     В
Напряжение тока коллектор- эмиттера терпя ВКЭО (сус) ИК=30мА, ИБ=0 60     В
пробивное напряжение Излучател-основания В (БР) ЭБО Т.Е. =10МА, ИК=0 5     В
Течение выключения сборника ИКЭО ВКЭ=30В, ИБ=0     2 мамы
Течение выключения сборника ИКБО ВКБ=60В, Т.Е. =0     1 мамы
Течение выключения излучателя ИЭБО ВЭБ=5В, ИК=0     2 мамы

 

Увеличение ДК настоящее

хФЭ (1) ВКЭ=4В, ИК=1А 1000      
хФЭ (2) ВКЭ=4В, ИК=2А 500      
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера (Сидеть) ВКЭ ИК=2А, ИБ=8мА     2,5 В
напряжение тока Основани-излучателя ВБЭ ВКЭ=4В, ИК=2А     2,8 В
Емкость выхода сборника Удар ВКБ=10В, Т.Е. =0, ф=0.1МХз     100 пФ

 

 

 

 

Размеры плана пакета ТО-220-3Л

 

Символ Размеры в миллиметрах Размеры в дюймах
  Минута Макс Минута Макс
А 4,470 4,670 0,176 0,184
А1 2,520 2,820 0,099 0,111
б 0,710 0,910 0,028 0,036
б1 1,170 1,370 0,046 0,054
к 0,310 0,530 0,012 0,021
к1 1,170 1,370 0,046 0,054
Д 10,010 10,310 0,394 0,406
Э 8,500 8,900 0,335 0,350
Э1 12,060 12,460 0,475 0,491
е 2,540 ТИП 0,100 ТИПА
е1 4,980 5,180 0,196 0,204
Ф 2,590 2,890 0,102 0,114
х 0,000 0,300 0,000 0,012
Л 13,400 13,800 0,528 0,543
Л1 3,560 3,960 0,140 0,156
Φ 3,735 3,935 0,147 0,155

 

 

Эквивалент транзистора силы ТИП110 высоковольтный НПН низко на сопротивлении

Запрос Корзина 0