продукты Поставщики Sign in Register

CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
6 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами просят квоту
Русский язык
Главная / продукты / Silicon Power Transistor /

Транзистор влияния поля БАВ19В~БАВ21В, высокочастотный транзистор

Категории продукта

Транзистор силы Mosfet

 [236]

Транзисторы силы подсказки

 [60]

Транзистор силы кремния

 [38]

Двойной переключая диод

 [30]

Транзистор влияния поля Mos

 [58]

Удваивает - Mosfet канала

 [20]

Быстрый диод выпрямителя тока спасения

 [12]

Стабилитрон силы

 [12]

Выпрямитель по мостиковой схеме Schottky

 [20]

Высоковольтный диод выпрямителя тока

 [30]

Триод полупроводника

 [18]

Стабилизатор IC напряжения тока

 [28]
контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контактная информация
контакт
China Транзистор влияния поля БАВ19В~БАВ21В, высокочастотный транзистор wholesale
  • China Транзистор влияния поля БАВ19В~БАВ21В, высокочастотный транзистор wholesale

Транзистор влияния поля БАВ19В~БАВ21В, высокочастотный транзистор
Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 до 2 недели
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Номер модели :БАВ19В~БАВ21В
Тип :ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ДИОДЭСОД
Функция :Быстрая скорость переключения
Транзистор Mosfet силы :Пластмасса-ЭнкапсулатеДиодес СОД-123
Температура хранения :-55~+150℃
Удостоверение личности продукта :БАВ19В~БАВ21В
Пиковое течение ИМПа ульс :2A
more
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

БАВ19В~БАВ21В СВИТКХИНГДИОДЭСОД-123 СОД-123Пластик-ЭнкапсулатеДиодес


 

ОСОБЕННОСТЬ
 
Низкое обратное течение
Поверхностный пакет держателя идеально одетый для автоматического ввода
Быстрая скорость переключения 
Для общецелевых применений переключения

Отмечать 

 

Катес баринди маркировки катод 

Твердое тело дот=Грен прибор литьевой массы,

ифноне, тенормал прибор.

Транзистор влияния поля БАВ19В~БАВ21В, высокочастотный транзистор

 

 

 

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (Та=25℃ если не указано иное)
 

 Транзистор влияния поля БАВ19В~БАВ21В, высокочастотный транзистор
 
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Та=25℃ если не указано иное)
 

 
Транзистор влияния поля БАВ19В~БАВ21В, высокочастотный транзистор


 
 
 
Типичное Чарактериситикс  
 Транзистор влияния поля БАВ19В~БАВ21В, высокочастотный транзисторТранзистор влияния поля БАВ19В~БАВ21В, высокочастотный транзистор
 




 
 
 
 
 
 
 Размеры плана пакета
 

Символ Размеры в миллиметрах Размеры в дюймах
  Минута Макс Минута Макс
А 0,900 1,150 0,035 0,045
А1 0,000 0,100 0,000 0,004
А2 0,900 1,050 0,035 0,041
б 0,300 0,500 0,012 0,020
к 0,080 0,150 0,003 0,006
Д 2,800 3,000 0,110 0,118
Э 1,200 1,400 0,047 0,055
Э1 2,250 2,550 0,089 0,100
е 0,950 ТИПА 0,037 ТИПА
е1 1,800 2,000 0,071 0,079
Л 0,550 РЭФ 0,022 РЭФ
Л1 0,300 0,500 0,012 0,020
θ 0° 8° 0° 8°

 
 



 
 
 
 

Метки товара:

igbt amplifier

hf transistor

transistor hf
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4