CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
6 лет
Главная / продукты / Tip Power Transistors /

Переключение Б772 транзисторов силы ТО-251-3Л подсказки ПНП помещенное пластмассой низкоскоростное

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

Переключение Б772 транзисторов силы ТО-251-3Л подсказки ПНП помещенное пластмассой низкоскоростное

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 до 2 недели
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Номер модели :B772
Напряжение тока ВолтагеКоллектор-основания коллектора- база :40V
Напряжение тока коллектор- эмиттера :30В
напряжение тока Излучател-основания :-6В
Название продукта :тип триода полупроводника
TJ :150℃
Тип :Транзистор триода
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Пластмасс-помещенный ТО-126 ТРАНЗИСТОР транзисторов Б772 (ПНП)

 

 

ОСОБЕННОСТЬ
 


Низкоскоростное переключение
 

 

 

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (т =25 Š если не указано иное)
 

СимволПараметрЗначениеБлок
ВКБОНапряжение тока коллектора- база-40В
ВКЭОНапряжение тока коллектор- эмиттера-30В
ВЭБОНапряжение тока Излучател-основания-6В
ИКТечение сборника - непрерывное-3А
ПКДиссипация силы сборника1,25В
РӨДЖАТермальное сопротивление, соединение к окружающему100℃/В
ТджТемпература соединения150
ЦтгТемпература хранения-55-150

 
 
 

 


ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

 

 

Животики =25 Š если не указано иное

ПараметрСимволУсловия испытанийМинутаТипМаксБлок
Пробивное напряжение коллектора- базаВ (БР) КБОИК=-100μА, Т.Е. =0-40  В
Пробивное напряжение коллектор- эмиттераГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР)ИК= -10МА, ИБ=0-30  В
пробивное напряжение Излучател-основанияВ (БР) ЭБОТ.Е. = -100ΜА, ИК=0-6  В
Течение выключения сборникаИКБОВКБ= -40В, Т.Е. =0  -1μА
Течение выключения сборникаИКЭОВКЭ=-30В, ИБ=0  -10μА
Течение выключения излучателяИЭБОВЭБ=-6В, ИК=0  -1μА
Увеличение ДК настоящеехФЭВКЭ= -2В, ИК= -1А60 400 
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера(Сидеть) ВКЭИК=-2А, ИБ= -0.2А  -0,5В
напряжение тока сатурации Основани-излучателя(Сидеть) ВБЭИК=-2А, ИБ= -0.2А  -1,5В

 

Частота перехода

фТ

ВКЭ= -5В, ИК=-0.1А

ф =10МХз

 

50

 

80

 

 

МХз

 
  

КЛАССИФИКАЦИЯ ФЭ х(2)

РядРОИГР
Ряд60-120100-200160-320200-400

 
 
 

 Размеры плана пакета
 

СимволРазмеры в миллиметрахРазмеры в дюймах
 МинутаМаксМинутаМакс
А3,3003,7000,1300,146
А11,1001,4000,0430,055
б0,3800,5500,0150,022
к0,3600,5100,0140,020
Д4,3004,7000,1690,185
Д13,430 0,135 
Э4,3004,7000,1690,185
е1,270 ТИП0,050 ТИПА
е12,4402,6400,0960,104
Л14,10014,5000,5550,571
0 1,600 0,063
х0,0000,3800,0000,015

 
 
Переключение Б772 транзисторов силы ТО-251-3Л подсказки ПНП помещенное пластмассой низкоскоростное
 
 

Запрос Корзина 0