CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
6 лет
Главная / продукты / Tip Power Transistors /

Б772 переключатель транзистора наивысшей мощности ПНП, цепь транзистора подсказки ПНП

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

Б772 переключатель транзистора наивысшей мощности ПНП, цепь транзистора подсказки ПНП

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 до 2 недели
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Номер модели :B772
Диссипация силы сборника :1.25W
ВКЭО :-30В
ВЭБО :-6В
Название продукта :тип триода полупроводника
TJ :150℃
Тип :Транзистор триода
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

ТО-126 Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов Б772 (ПНП)

 

 

ОСОБЕННОСТЬ
 


Низкоскоростное переключение

 

 

ОТМЕЧАТЬ

Код Б772=Девисе

Прибор твердые точка = литьевая масса зеленого цвета, если никакой, нормальный прибор СС=Коде

 

Б772 переключатель транзистора наивысшей мощности ПНП, цепь транзистора подсказки ПНП

 

 

УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ

Номер детали Пакет Способ уплотнения прокладками Количество пакета
Б772 ТО-126 Большая часть 200пкс/Баг
Б772-ТУ ТО-126 Трубка 60пкс/Тубе


 

 

 

 

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (т =25 Š если не указано иное)

 

Символ Параметр Значение Блок
ВКБО Напряжение тока коллектора- база -40 В
ВКЭО Напряжение тока коллектор- эмиттера -30 В
ВЭБО Напряжение тока Излучател-основания -6 В
ИК Течение сборника - непрерывное -3 А
ПК Диссипация силы сборника 1,25 В
РӨДЖА Термальное сопротивление от соединения к окружающему 100 ℃/В
Тдж Температура соединения 150
Цтг Температура хранения -55-150

 

 

 

 


ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

 

 

Животики =25 Š если не указано иное


 

Параметр Символ Условия испытаний Минута Тип Макс Блок
Пробивное напряжение коллектора- база В (БР) КБО ИК=-100μА, Т.Е. =0 -40     В
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР) ИК= -10МА, ИБ=0 -30     В
пробивное напряжение Излучател-основания В (БР) ЭБО Т.Е. = -100ΜА, ИК=0 -6     В
Течение выключения сборника ИКБО ВКБ= -40В, Т.Е. =0     -1 μА
Течение выключения сборника ИКЭО ВКЭ=-30В, ИБ=0     -10 μА
Течение выключения излучателя ИЭБО ВЭБ=-6В, ИК=0     -1 μА
Увеличение ДК настоящее хФЭ ВКЭ= -2В, ИК= -1А 60   400  
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера (Сидеть) ВКЭ ИК=-2А, ИБ= -0.2А     -0,5 В
напряжение тока сатурации Основани-излучателя (Сидеть) ВБЭ ИК=-2А, ИБ= -0.2А     -1,5 В

 

Частота перехода

фТ

ВКЭ= -5В, ИК=-0.1А

ф =10МХз

 

50

 

80

 

 

МХз

 
  

КЛАССИФИКАЦИЯ ФЭ х(2)

Ряд Р О И ГР
Ряд 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 


Типичные характеристики

Б772 переключатель транзистора наивысшей мощности ПНП, цепь транзистора подсказки ПНПБ772 переключатель транзистора наивысшей мощности ПНП, цепь транзистора подсказки ПНПБ772 переключатель транзистора наивысшей мощности ПНП, цепь транзистора подсказки ПНП

 

 

 Размеры плана пакета
 

Символ Размеры в миллиметрах Размеры в дюймах
  Минута Макс Минута Макс
А 3,300 3,700 0,130 0,146
А1 1,100 1,400 0,043 0,055
б 0,380 0,550 0,015 0,022
к 0,360 0,510 0,014 0,020
Д 4,300 4,700 0,169 0,185
Д1 3,430   0,135  
Э 4,300 4,700 0,169 0,185
е 1,270 ТИП 0,050 ТИПА
е1 2,440 2,640 0,096 0,104
Л 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
х 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 

Б772 переключатель транзистора наивысшей мощности ПНП, цепь транзистора подсказки ПНП

 

 

Запрос Корзина 0