Номер детали	Пакет	Способ уплотнения прокладками	Количество пакета
МДЖЭ13003	ТО-126	Большая часть	200пкс/Баг
МДЖЭ13003-ТУ	ТО-126	Трубка	60пкс/Тубе

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (т =25 Š если не указано иное)

Символ	Параметр	Значение	Блок
ВКБО	Напряжение тока коллектора- база	600	В
ВКЭО	Напряжение тока коллектор- эмиттера	420	В
ВЭБО	Напряжение тока Излучател-основания	7	В
И_К	Течение сборника - непрерывное	0,2	А
П_К	Диссипация силы сборника	0,75	В
Т_Дж	Температура соединения	150	℃
Цтг	Температура хранения	-55 ~150	℃

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Животики =25 Š если не указано иное

Параметр	Символ	Условия испытаний	Минута	Тип	Макс	Блок
Пробивное напряжение коллектора- база	В (БР) КБО	И_К= 0.1мА, Т.Е. =0	600			В
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера	ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР)	И_К= 1мА, И_Б=0	400			В
пробивное напряжение Излучател-основания	В (БР) ЭБО	Т.Е. =0.1МА, И_К=0	6			В
Течение выключения сборника	ИКБО	В_КБ=600В, Т.Е. =0			100	уА
Течение выключения сборника	ИКЭО	В_КЭ=400В, И_Б=0			100	уА
Течение выключения излучателя	ИЭБО	В_ЭБ=7В, И_К=0			10	уА
Увеличение ДК настоящее	хФЭ (1)*	В_КЭ=10В, И_К=200мА	20		30
Увеличение ДК настоящее	хФЭ (2)	В_КЭ=10В, И_К=250μА	5
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера	(Сидеть) ВКЭ 1	И_К=200мА, И_Б=40мА			0,5	В
напряжение тока сатурации Основани-излучателя	(Сидеть) ВБЭ	И_К=200мА, И_Б=40мА			1,1	В
Частота перехода	ф_т	В_КЭ=10В, И_К=100мА, ф=1МХз	5			МХз
Время падения	т_ф	И_К=100мА			0,5	μс
Продолжительность хранения	тС*	И_К=100мА	2		4	μс

Размеры плана пакета ТО-92

Символ	Размеры в миллиметрах		Размеры в дюймах
	Минута	Макс	Минута	Макс
А	2,500	2,900	0,098	0,114
А1	1,100	1,500	0,043	0,059
б	0,660	0,860	0,026	0,034
б1	1,170	1,370	0,046	0,054
к	0,450	0,600	0,018	0,024
Д	7,400	7,800	0,291	0,307
Э	10,600	11,000	0,417	0,433
е	2,290 ТИП		0,090 ТИПА
е1	4,480	4,680	0,176	0,184
х	0,000	0,300	0,000	0,012
Л	15,300	15,700	0,602	0,618
Л1	2,100	2,300	0,083	0,091
П	3,900	4,100	0,154	0,161
Φ	3,000	3,200	0,118	0,126

Тип транзистора триода кремния транзисторов силы НПН подсказки МДЖЭ13003 материальный

Транзистор силы Mosfet

Транзисторы силы подсказки

Транзистор силы кремния

Двойной переключая диод

Транзистор влияния поля Mos

Удваивает - Mosfet канала

Быстрый диод выпрямителя тока спасения

Стабилитрон силы

Выпрямитель по мостиковой схеме Schottky

Высоковольтный диод выпрямителя тока

Триод полупроводника

Стабилизатор IC напряжения тока

Тип транзистора триода кремния транзисторов силы НПН подсказки МДЖЭ13003 материальный

titanium mmo anodes

sot223 mosfet

u type mosi2 heating element