CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
6 лет
Главная / продукты / Tip Power Transistors /

Цепь транзистора Д882 НПН, напряжение тока коллектор- эмиттера 30в транзистора силы НПН

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

Цепь транзистора Д882 НПН, напряжение тока коллектор- эмиттера 30в транзистора силы НПН

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 до 2 недели
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Номер модели :D882
Напряжение тока ВолтагеКоллектор-основания коллектора- база :40V
Напряжение тока коллектор- эмиттера :30В
напряжение тока Излучател-основания :6v
Транзистор Mosfet силы :ТО-126 Пластмасс-помещают
Материал :кремний
Тип :Транзистор триода
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

ТО-126 Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов Д882 (НПН)

 

 

ОСОБЕННОСТЬ
 


Диссипация силы

 

 

 

ОТМЕЧАТЬ

 

Код Д882=Девисе

Прибор твердые точка = литьевая масса зеленого цвета, если никакой, нормальный прибор СС=Коде

Цепь транзистора Д882 НПН, напряжение тока коллектор- эмиттера 30в транзистора силы НПН

 

 

 

 

УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ

Номер детали Пакет Способ уплотнения прокладками Количество пакета
Д882 ТО-126 Большая часть 200пкс/Баг
Д882-ТУ ТО-126 Трубка 60пкс/Тубе

 

 

 

 

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (т =25 Š если не указано иное)
 

 

Символ Параметр Значение Блок
ВКБО Напряжение тока коллектора- база 40 В
ВКЭО Напряжение тока коллектор- эмиттера 30 В
ВЭБО Напряжение тока Излучател-основания 6 В
ИК Течение сборника - непрерывное 3 А
ПК Диссипация силы сборника 1,25 В
ТДж Температура соединения 150
Цтг Температура хранения -55-150

 
 
 

 


ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

 

 

Животики =25 Š если не указано иное

Параметр Символ Условия испытаний Минута Тип Макс Блок
Пробивное напряжение коллектора- база В (БР) КБО Ик = 100μА, Т.Е. =0 40     В
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР) Ик = 10мА, ИБ=0 30     В
пробивное напряжение Излучател-основания В (БР) ЭБО Т.Е. = 100μА, ИК=0 6     В
Течение выключения сборника ИКБО ВКБ= 40 В, Т.Е. =0     1 µА
Течение выключения сборника ИКЭО ВКЭ= 30 В, ИБ=0     10 µА
Течение выключения излучателя ИЭБО ВЭБ= 6 В, ИК=0     1 µА
Увеличение ДК настоящее хФЭ ВКЭ= 2 в, ИК= 60   400  
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера (Сидеть) ВКЭ ИК= 2А, ИБ= 0,2 а     0,5 В
напряжение тока сатурации Основани-излучателя (Сидеть) ВБЭ ИК= 2А, ИБ= 0,2 а     1,5 В

 

Частота перехода

 

фт

ВКЭ= 5В, ИК=0.1А

ф =10МХз

 

 

90

 

 

МХз

 
  

КЛАССИФИКАЦИЯ ФЭ х(2)

Ряд Р О И ГР
Ряд 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 


Типичные характеристики

 

 
 Цепь транзистора Д882 НПН, напряжение тока коллектор- эмиттера 30в транзистора силы НПНЦепь транзистора Д882 НПН, напряжение тока коллектор- эмиттера 30в транзистора силы НПНЦепь транзистора Д882 НПН, напряжение тока коллектор- эмиттера 30в транзистора силы НПНЦепь транзистора Д882 НПН, напряжение тока коллектор- эмиттера 30в транзистора силы НПН
 

 Размеры плана пакета
 

 

Символ Размеры в миллиметрах Размеры в дюймах
Минута Макс Минута Макс
А 2,500 2,900 0,098 0,114
А1 1,100 1,500 0,043 0,059
б 0,660 0,860 0,026 0,034
б1 1,170 1,370 0,046 0,054
к 0,450 0,600 0,018 0,024
Д 7,400 7,800 0,291 0,307
Э 10,600 11,000 0,417 0,433
е 2,290 ТИП 0,090 ТИПА
е1 4,480 4,680 0,176 0,184
х 0,000 0,300 0,000 0,012
Л 15,300 15,700 0,602 0,618
Л1 2,100 2,300 0,083 0,091
П 3,900 4,100 0,154 0,161
Φ 3,000 3,200 0,118 0,126

 
 
Цепь транзистора Д882 НПН, напряжение тока коллектор- эмиттера 30в транзистора силы НПН
 
 

Запрос Корзина 0