Переключатель IC силы Transistor/MOSFET/Power AP2322GN первоначальный общецелевой откалывает
Этот продукт чувствителен к электростатической разрядке, пожалуйста регулирует с осторожностью.
Этот продукт не утвержден быть использованным как критический компонент системы искусственного жизнеобеспечения или других подобных систем.
APEC не будет подлежащ для любого пассива возникая от применения или польза любых продукта или цепи описала в этом согласовании, ни она назначитьет любую лицензию под своими патентными правами или назначитьет права других.
APEC резервирует право сделать изменения к любому продукту в этом согласовании без предварительного уведомления улучшить надежность, функцию или дизайн.
Описание
Предварительные MOSFETs силы использовали предварительные методы обработки достигнуть предельно низкого на-сопротивления, весьма эффективного и прибора затратыэффективности.
Пакет SOT-23S широко предпочтен для коммерчески-промышленных поверхностных применений держателя и одет для применений низшего напряжения как конвертеры DC/DC.
Абсолютный максимум Ratings@Tj =25oC (если не указано иное)
| Символ |
Параметр |
Оценка |
Блоки |
| VDS |
Напряжение тока Сток-источника |
20 |
V |
| VGS |
Напряжение тока Ворот-источника |
+8 |
V |
| ID@TA =25℃ |
Стеките течение3, VGS @ 4.5V |
2,5 |
|
| ID@TA =70℃ |
Стеките течение3, VGS @ 4.5V |
2,0 |
|
| IDM |
Пульсированное течение1 стока |
10 |
|
| PD@TA =25℃ |
Диссипация полной силы |
0,833 |
W |
| TSTG |
Диапазон температур хранения |
-55 до 150 |
℃ |
| TJ |
Работая диапазон температур соединения |
-55 до 150 |
℃ |
Тепловые данные
| Символ |
Параметр |
Значение |
Блок |
| Rthj-a |
Максимальное термальное сопротивление, Соединени-окружающие3 |
150 |
℃/W |
AP2322G
Электрическое Characteristics@Tj =25oC (если не указано иное)
| Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
MIN. |
Тип. |
Максимальный. |
Блоки |
| BVDSS |
Пробивное напряжение Сток-источника |
VGS =0V, ID =250UA |
20 |
- |
- |
V |
| RDS (ДАЛЬШЕ) |
Статическое На-сопротивление2Сток-источника |
VGS =4.5V, ID =1.6A |
- |
- |
90 |
mΩ |
| VGS =2.5V, ID =1A |
- |
- |
120 |
mΩ |
| VGS =1.8V, ID =0.3A |
- |
- |
150 |
mΩ |
| VGS (th) |
Напряжение тока порога ворот |
VDS =VGS, ID =1MA |
0,25 |
- |
1 |
V |
| gfs |
Передний Transconductance |
VDS =5V, ID =2A |
- |
2 |
- |
S |
| IDSS |
Течение утечки Сток-источника |
VDS =20V, VGS =0V |
- |
- |
1 |
uA |
| IGSS |
Утечка Ворот-источника |
VGS =+8V, VDS =0V |
- |
- |
+100 |
nA |
| Qg |
Полная обязанность ворот |
ID =2.2A
VDS =16V VGS =4.5V
|
- |
7 |
11 |
nC |
| Qgs |
Обязанность Ворот-источника |
- |
0,7 |
- |
nC |
| Qgd |
Обязанность Ворот-стока («Miller») |
- |
2,5 |
- |
nC |
| td (дальше) |
Время задержки включения |
ID =1A RG =3.3Ω VDS =10V
VGS =5V
|
- |
6 |
- |
ns |
| tr |
Время восхода |
- |
12 |
- |
ns |
| td () |
Время задержки поворота- |
- |
16 |
- |
ns |
| tf |
Время падения |
- |
4 |
- |
ns |
| Ciss |
Входная емкость |
V.GS=0V VDS =20V
f=1.0MHz
|
- |
350 |
560 |
pF |
| Coss |
Емкость выхода |
- |
55 |
- |
pF |
| Crss |
Обратная емкость передачи |
- |
48 |
- |
pF |
| Rg |
Сопротивление вентильного провода |
f=1.0MHz |
- |
3,2 |
4,8 |
Ω |
Диод Источник-стока
| Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
MIN. |
Тип. |
Максимальный. |
Блоки |
| VSD |
Препровождайте на напряжении тока2 |
=0.7A, VGS =0V |
- |
- |
1,2 |
V |
| trr |
Обратное время восстановления |
=2A, VGS =0V,
dI/dt=100A/µs
|
- |
20 |
- |
ns |
| Qrr |
Обратная обязанность спасения |
- |
13 |
- |
nC |
Примечания:
ширина 1.Pulse ограничиваемая максимальной температурой соединения.
тест 2.Pulse
3.Surface установило на 1 в медной пусковой площадке2 FR4 доски, t<> 10sec; 360 ℃/W устанавливанный на пусковой площадке меди MIN.
