Транзистор силы Мосфет канала АП5Н10СИ н для системы батареи использующей энергию
Описание транзистора силы Мосфет канала н:
АП5Н10СИ одиночная логика Н-канала
транзисторы влияния поля силы режима повышения к
обеспечьте превосходный р ДС (дальше), низкие обязанность ворот и низкий
сопротивление вентильного провода. Оно до напряжения тока деятельности 30В хорошо подойдет в электропитании режима переключения, СМПС,
управление и другое силы ноутбука
цепи батареи использующие энергию.
Особенности транзистора силы Мосфет канала н:
РДС (ДАЛЬШЕ)<125m>
РДС (ДАЛЬШЕ)<135m>
Супер хигх-денситы дизайн клетки для весьма - низкой
На-сопротивление РДС (ДАЛЬШЕ) исключительное и течение ДК максимума
Применения транзистора силы Мосфет канала н:
Электропитание переключения, СМПС
Система батареи использующая энергию
Конвертер ДК/ДК
Конвертер ДК/АК
Переключатель нагрузки
Маркировка и упорядочение информации пакета
| ИД продукта |
Пакет |
Отмечать |
Кты (ПКС) |
| АП5Н10СИ |
СОТ89-3 |
АП5Н10СИ ИИВВВВ |
1000 |
Оценки таблицы 1.Абсолуте максимальные (ЖИВОТИКИ =25℃)
| Символ |
Параметр |
Значение |
Блок |
| ВДС |
Напряжение тока Сток-источника (ВГС=0В) |
100 |
В |
| ВГС |
Напряжение тока Ворот-источника (ВДС=0В) |
±25 |
В |
|
Д
И
|
Стеките Настоящ-непрерывное (℃ Тк=25) |
5 |
А |
| Стеките Настоящ-непрерывное (℃ Тк=100) |
3,1 |
А |
| ИДМ (плузе) |
Стеките Куррент-Континуоус@ Настоящ-пульсировал (примечание 1) |
20 |
А |
| ПД |
Максимальная диссипация силы |
9,3 |
В |
| ТДЖ, ТСТГ |
Работая диапазон температур соединения и хранения |
-55 до 150 |
℃ |
| Символ |
Параметр |
Значение |
Блок |
| ВДС |
Напряжение тока Сток-источника (ВГС=0В) |
100 |
В |
| ВГС |
Напряжение тока Ворот-источника (ВДС=0В) |
±25 |
В |
|
Д
И
|
Стеките Настоящ-непрерывное (℃ Тк=25) |
5 |
А |
| Стеките Настоящ-непрерывное (℃ Тк=100) |
3,1 |
А |
| ИДМ (плузе) |
Стеките Куррент-Континуоус@ Настоящ-пульсировал (примечание 1) |
20 |
А |
| ПД |
Максимальная диссипация силы |
9,3 |
В |
| ТДЖ, ТСТГ |
Работая диапазон температур соединения и хранения |
-55 до 150 |
℃ |
Характеристика таблицы 2.Тхэрмал
| Символ |
Параметр |
Тип |
Значение |
Блок |
| Р ДЖА |
Термальное сопротивление, Соединени-к-окружающее |
- |
13,5 |
℃/В |
Характеристики таблицы 3. электрические (в противном случае замеченные ЖИВОТИКИ =25℃уньлесс)
| Символ |
Параметр |
Условия |
Минута |
Тип |
Макс |
Блок |
| Включено-выключено государства |
|
|
|
|
|
| БВДСС |
Пробивное напряжение Сток-источника |
ВГС=0В ИД=250μА |
100 |
|
|
В |
| ИДСС |
Зеро течение стока напряжения тока ворот |
ВДС=100В, ВГС=0В |
|
|
100 |
μА |
| ИГСС |
Течение утечки Ворот-тела |
ВГС=±20В, ВДС=0В |
|
|
±100 |
нА |
| ВГС (тх) |
Напряжение тока порога ворот |
ВДС=ВГС, μА ИД=250 |
1 |
1,5 |
3 |
В |
|
РДС (ДАЛЬШЕ)
|
Сопротивление На-государства Сток-источника
|
ВГС=10В, ИД= 10А |
|
110 |
125 |
м Ω |
| ВГС=4.5В, ИД=-5А |
|
120 |
135 |
м Ω |
| Характеристики динамической чувствительности |
| Сисс |
Входная емкость |
ВДС=25В, ВГС=0В, ф=1.0МХз
|
|
690 |
|
пФ |
| Косс |
Емкость выхода |
|
120 |
|
пФ |
| Крсс |
Обратная емкость передачи |
|
90 |
|
пФ |
| Времена переключения |
| тд (дальше) |
Турн-он время задержки |
|
|
11 |
|
нС |
|
р
т
|
Турн-он время восхода |
|
7,4 |
|
нС |
| тд () |
Время задержки поворота- |
|
35 |
|
нС |
|
ф
т
|
Время падения поворота- |
|
9,1 |
|
нС |
| Кг |
Полная обязанность ворот |
ВДС=15В, ИД=10А В ГС=10В |
|
15,5 |
|
нК |
| Кгс |
Обязанность Ворот-источника |
|
3,2 |
|
нК |
| Кгд |
Обязанность Ворот-стока |
|
4,7 |
|
нК |
| Характеристики диода Источник-стока |
| ИСД |
Течение Источник-стока (диод тела) |
|
|
|
20 |
А |
| ВСД |
Препровождайте на напряжении тока (примечании 1) |
ВГС=0В, ИС=2А |
|
|
0,8 |
В |
Паять Рефлов:
Выбор метода топления может быть повлиян на пластиковым пакетом КФП). Если использованы инфракрасный или топление участка пара и
пакет совершенно не сух (меньше чем 0,1% содержания влаги по весу), испарение небольшого количества влаги
в их смогите причинить трескать пластикового тела. Подогрев необходим для того чтобы высушить затир и испарить связывающее вещество. Продолжительность подогрева: 45 минут на 45 °К.
Паять Рефлов требует затира припоя (подвеса точных частиц, потока и связывающего вещества припоя) быть приложенным к плате с печатным монтажом печатанием, трафаретить или давлени-шприцем экрана распределяя перед размещением пакета. Несколько методов существуют для рефловинг; например, конвекция или конвекция/ультракрасное топление в типе печи транспортера. Времена объема (подогрев, паяя и охлаждая) меняют между 100 и 200 секундами в зависимости от метода топления.
Типичная температурная амплитуда пика рефлов от 215 к °К 270 в зависимости от материала затира припоя. Верхн-поверхность
температура пакетов предпочтительный быть сдержанным под °К 245 для толщиной/большие пакетов (пакеты с толщиной
2,5 мм или с томом 350 мм
3
так называемые толстые/большие пакеты). Температура верхн-поверхности пакетов
предпочтительный держите под °К 260 для тонких/небольших пакетов (пакетов с толщиной < 2="">
| Этап |
Условие |
Продолжительность |
| 1' Рам ст вверх по тарифу |
макс3.0+/-2 /sec |
- |
| Подогрейте |
150 ~200 |
сек 60~180 |
| 2' Рам нд вверх |
макс3.0+/-2 /sec |
- |
| Соединение припоя |
217 выше |
сек 60~150 |
| Пиковый Темп |
260 +0/-5 |
сек 20~40 |
| Рам тариф вниз |
6 /sec максимальное |
- |
Паять волны:
Обычный одиночный паять волны не порекомендован для поверхностных приборов (SMDs) держателя или плат с печатным монтажом с высокой компонентной плотностью, по мере того как наводить и не-обрызгивание припоя могут представить главные проблемы.
Паять руководства:
Зафиксируйте компонент сперва паять 2 раскосн-противоположных руководства конца. Используйте 24 в или) паяя утюг низшего напряжения (приложенный к плоской части руководства. Время срабатывания контакта необходимо ограничиваться до 10 секунд на до 300 °К. При использовании преданного инструмента, все другие руководства можно припаять в одной деятельности не позднее 2 до 5 секунды между 270 и 320 °К.
