Низшее напряжение 100В транзистора силы Мосфет канала н режима повышения
Сила Мосфет канала н Деятельность и характеристики
Конструкция МОСФЭТ силы в В-конфигурациях, по мере того как мы можем увидеть в следующей диаграмме. Таким образом прибор также вызван как В-МОСФЭТ или В-ФЭТ. В- форма МОСФЭТ силы отрезана для того чтобы прорезать от поверхности прибора почти к субстрату Н+ к Н+, п, и н – слоям. Слой Н+ тяжело данный допинг слой с низким сопротивляющимся материалом и слой Н- слегка данный допинг слой с высокоомным регионом.
Особенности силы Мосфет канала н
Применение силы Мосфет канала н
Предохранение от батареи
Бесперебойное электропитание
Маркировка и упорядочение информации пакета
| ИД продукта |
Пакет |
Отмечать |
Кты (ПКС) |
| АП3Н10БИ |
СОТ23 |
МА4 |
3000 |
Абсолютный максимум оценок (ТК=25℃ если не указано иное)
| Символ |
Параметр |
Классифицировать |
Блоки |
| ВДС |
Напряжение тока Сток-источника |
100 |
В |
| ВГС |
Напряжение тока рсе ворот-Соу |
±20 |
В |
| ID@TA =25℃ |
Непрерывное течение стока, в ГС @ 10В 1 |
2,8 |
А |
| ID@TA =70℃ |
Непрерывное течение стока, в ГС @ 10В 1 |
1 |
А |
| ИДМ |
Пульсированный сток Куррент2 |
5 |
А |
| ℃ PD@TA =25 |
Полная сила Диссипатион3 |
1 |
В |
| ТСТГ |
Диапазон температур хранения |
-55 до 150 |
℃ |
| ТДЖ |
Работая диапазон температур соединения |
-55 до 150 |
℃ |
| РθДжА |
Термальное сопротивление Соединени-окружающее 1 |
125 |
℃/В |
| РθДжК |
Соединени-случай 1 термального сопротивления |
80 |
℃/В |
Электрические характеристики (℃ ТДЖ =25, если не указано иное)
| Символ |
Параметр |
Условия |
Минимальный. |
Тип. |
Макс. |
Блок |
| БВДСС |
Пробивное напряжение Сток-источника |
ВГС=0В, ИД=250уА |
100 |
--- |
--- |
В |
| △ БВДСС/△ТДЖ |
Коэффициент температуры БВДСС |
Ссылка на 25℃, ИД=1мА |
--- |
0,067 |
--- |
В/℃ |
| РДС (ДАЛЬШЕ) |
Статическое На-сопротивление Сток-источника |
ВГС=10В, И Д=1А |
--- |
260 |
310 |
мΩ
|
| ВГС=4.5В, И Д=0.5А |
--- |
270 |
320 |
| ВГС (тх) |
Напряжение тока порога ворот |
ВГС=ВДС, И =250УА |
1,0 |
1,5 |
2,5 |
В |
| △ВГС (тх) |
Коэффициент температуры ВГС (тх) |
|
--- |
-4,2 |
--- |
мВ/℃ |
| ИДСС |
Течение утечки Сток-источника |
ВДС=80В, ВГС=0В, ТДЖ=25℃ |
--- |
--- |
1 |
уА |
| ИДСС |
Течение утечки Сток-источника |
ВДС=80В, ВГС=0В, ТДЖ=25℃ |
--- |
--- |
5 |
уА |
| ИГСС |
Течение утечки Ворот-источника |
ВГС=±20В, ВДС=0В |
--- |
--- |
±100 |
нА |
| гфс |
Передний Транскондуктансе |
ВДС=5В, ИД=1А |
--- |
2,4 |
--- |
С |
| Рг |
Сопротивление вентильного провода |
ВДС=0В, ВГС=0В, ф=1МХз |
--- |
2,8 |
5,6 |
|
| Кг |
Полная обязанность ворот (10В) |
|
--- |
9,7 |
13,6 |
|
| Кгс |
Обязанность Ворот-источника |
--- |
1,6 |
2,2 |
| Кгд |
Обязанность Ворот-стока |
--- |
1,7 |
2,4 |
| Тд (дальше) |
Турн-Он время задержки |
ВДД=50В, ВГС=10В,
РГ=3.3
ИД=1А
|
--- |
1,6 |
3,2 |
нс
|
| Тр |
|
|
|
|
| Тд () |
Время задержки поворота- |
--- |
13,6 |
27 |
| Тф |
Время падения |
--- |
19 |
38 |
| Сисс |
Входная емкость |
|
--- |
508 |
711 |
|
| Косс |
Емкость выхода |
--- |
29 |
41 |
| Крсс |
Обратная емкость передачи |
--- |
16,4 |
23 |
|
Непрерывное течение источника 1,4 |
ВГ=ВД=0В, течение силы |
--- |
--- |
1,2 |
А |
| ИЗМ |
Пульсированное течение источника 2,4 |
--- |
--- |
5 |
А |
| ВСД |
Диод препровождает Волтаге2 |
ВГС=0В, ИС=1А, ТДЖ=25℃ |
--- |
--- |
1,2 |
В |
| трр |
Обратное время восстановления |
ИФ=1А, дИ/дт=100А/µс, |
--- |
14 |
--- |
нС |
| Крр |
Обратная обязанность спасения |
--- |
9,3 |
--- |
нК |
| Символ |
Параметр |
Условия |
Минимальный. |
Тип. |
Макс. |
Блок |
| БВДСС |
Пробивное напряжение Сток-источника |
ВГС=0В, ИД=250уА |
100 |
--- |
--- |
В |
| △ БВДСС/△ТДЖ |
Коэффициент температуры БВДСС |
Ссылка на 25℃, ИД=1мА |
--- |
0,067 |
--- |
В/℃ |
| РДС (ДАЛЬШЕ) |
Статическое На-сопротивление Сток-источника |
ВГС=10В, И Д=1А |
--- |
260 |
310 |
мΩ
|
| ВГС=4.5В, И Д=0.5А |
--- |
270 |
320 |
| ВГС (тх) |
Напряжение тока порога ворот |
ВГС=ВДС, И =250УА |
1,0 |
1,5 |
2,5 |
В |
| △ВГС (тх) |
Коэффициент температуры ВГС (тх) |
|
--- |
-4,2 |
--- |
мВ/℃ |
| ИДСС |
Течение утечки Сток-источника |
ВДС=80В, ВГС=0В, ТДЖ=25℃ |
--- |
--- |
1 |
уА |
| ИДСС |
Течение утечки Сток-источника |
ВДС=80В, ВГС=0В, ТДЖ=25℃ |
--- |
--- |
5 |
уА |
| ИГСС |
Течение утечки Ворот-источника |
ВГС=±20В, ВДС=0В |
--- |
--- |
±100 |
нА |
| гфс |
Передний Транскондуктансе |
ВДС=5В, ИД=1А |
--- |
2,4 |
--- |
С |
| Рг |
Сопротивление вентильного провода |
ВДС=0В, ВГС=0В, ф=1МХз |
--- |
2,8 |
5,6 |
|
| Кг |
Полная обязанность ворот (10В) |
|
--- |
9,7 |
13,6 |
|
| Кгс |
Обязанность Ворот-источника |
--- |
1,6 |
2,2 |
| Кгд |
Обязанность Ворот-стока |
--- |
1,7 |
2,4 |
| Тд (дальше) |
Турн-Он время задержки |
ВДД=50В, ВГС=10В,
РГ=3.3
ИД=1А
|
--- |
1,6 |
3,2 |
нс
|
| Тр |
|
|
|
|
| Тд () |
Время задержки поворота- |
--- |
13,6 |
27 |
| Тф |
Время падения |
--- |
19 |
38 |
| Сисс |
Входная емкость |
|
--- |
508 |
711 |
|
| Косс |
Емкость выхода |
--- |
29 |
41 |
| Крсс |
Обратная емкость передачи |
--- |
16,4 |
23 |
|
Непрерывное течение источника 1,4 |
ВГ=ВД=0В, течение силы |
--- |
--- |
1,2 |
А |
| ИЗМ |
Пульсированное течение источника 2,4 |
--- |
--- |
5 |
А |
| ВСД |
Диод препровождает Волтаге2 |
ВГС=0В, ИС=1А, ТДЖ=25℃ |
--- |
--- |
1,2 |
В |
| трр |
Обратное время восстановления |
ИФ=1А, дИ/дт=100А/µс, |
--- |
14 |
--- |
нС |
| Крр |
Обратная обязанность спасения |
--- |
9,3 |
--- |
нК |
Примечание:
данные 1.Тхэ испытали поверхностью установленной на доске 1 дюйма ФР-4 с медью 2ОЗ. данные 2.Тхэ испытали пульсированный, ширина ИМПа ульс ≦300ус, круг обязаностей ≦2%
диссипация силы 3.Тхэ ограничена температурой соединения 150 ℃
4. Данные теоретически это же какое ИД и ИДМ, в реальных применениях, должны быть ограничены диссипацией полной силы.
|
Символ
|
Размеры в миллиметрах |
| МИНИМАЛЬНЫЙ. |
МАКС. |
| А |
0,900 |
1,150 |
| А1 |
0,000 |
0,100 |
| А2 |
0,900 |
1,050 |
| б |
0,300 |
0,500 |
| к |
0,080 |
0,150 |
| Д |
2,800 |
3,000 |
| Э |
1,200 |
1,400 |
| Э1 |
2,250 |
2,550 |
| е |
0.950ТИПЭ |
| е1 |
1,800 |
2,000 |
| Л |
0.550РЭФ |
| Л1 |
0,300 |
0,500 |
| θ |
0° |
8° |
Внимание
1, любые и все продукты микроэлектроники АПМ описанное или, который содержать здесь не имеют спецификации которые могут отрегулировать применения которые требуют весьма высоких уровней надежности, как системы искусственного жизнеобеспечения, системы управления воздушного судна, или другие применения отказ которых можно разумно предполагать, что приведет в серьезных медицинском осмотре и/или материальном ущербе. Советуйте с с ваше близко микроэлектроники АПМ репрезентивное вами перед использованием всех продуктов микроэлектроники АПМ описанных или, который содержать здесь в таких применениях.
2, микроэлектроника АПМ не принимают никакую ответственность за отказы оборудования которые следуют из использование продуктов на значениях которые превышают, даже мгновенно, нормированные величины (как максимальные оценки, ряды эксплуатационного режима, или другие параметры) перечисленные в технических характеристиках изделия любых и всех продуктов микроэлектроники АПМ описанных или, который содержать здесь.
3, спецификации из любых и все продукты микроэлектроники АПМ описали или содержать здесь инстипулате представление, характеристики, и функции описанных продуктов в суверенном государстве, и нет гарантий представления, характеристик, и функций описанных продуктов как установлено в продуктах или оборудовании клиента. Для проверки симптомов и государств которые нельзя оценить в независимом приборе, клиент должен всегда оценивать и испытывать приборы установленные в продуктах или оборудовании клиента.
4, КО. полупроводника микроэлектроники АПМ, ЛТД. стремятся поставить высококачественные высокие продукты надежности. Однако, любые и все продукты полупроводника терпят неудачу с некоторой вероятностью. Возможно что эти вероятностные отказы смогли дать подъем авариям или событиям которые смогли угрожать человеческие жизни которые смогли дать подъем для курения или для того чтобы увольнять, или которые смогло причинить повреждение к другому свойству. Оборудование Вхэндесиньинг, устанавливает меры безопасности так, что эти виды аварий или событий не смогут произойти. Такие измерения включают но не ограничены к защитным цепям и цепям предохранения ошибки для безопасного дизайна, резервного дизайна, и структурного дизайна.
5, в случае если любые продукты микроэлектроники АПМ (включая технические данные, обслуживания) описанные или, который содержать здесь проконтролированы под любым из применимых местных законов и постановления экспортного контроля, такие продукты необходимо экспортировать без получать экспортную лицензию от властей, который относят в соответствии с вышеуказанным законом.
6, никакая часть этого издания могут быть воспроизведены или переданы в любую форму или любыми средствами, электронный или механический, включая фотокопинг и записывать, или любые информационную память или систему поиска информации, или в противном случае, без прежнего написанного разрешения КО. полупроводника микроэлектроники АПМ, ЛТД.
7, информация (включая принципиальные схемы и параметры цепи) здесь например только; не гарантировано для объема продукции. Микроэлектроника АПМ считает, что информация здесь точна и надежна, но никакие гарантии не сделаны или подразумеваны относительно своей пользы или любых нарушений прав интеллектуальной собственности или других прав третьих лиц.
подлежат, что изменяют 8, любые и вся информация описанные или, который содержать здесь без предварительного уведомления должное к продукту/улучшению технологии, етк. конструируя оборудование, ссылаются на «условия поставки» для продукта микроэлектроники АПМ который вы планируете использовать.
