CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
6 лет
Главная / продукты / Mosfet Power Transistor /

Первоначальный транзистор Мосфет высокого напряжения, водитель Мосфет используя транзистор

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

Первоначальный транзистор Мосфет высокого напряжения, водитель Мосфет используя транзистор

Спросите последнюю цену
Номер модели :1503К1
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :переговоров
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Срок поставки :1 до 2 недели
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Название продукта :Высоковольтный транзистор Мосфет
Р ДС (ДАЛЬШЕ) = 7.1мΩ (тип.) :@В ГС = 10В
Р мΩ 10,0 ДС (ДАЛЬШЕ) = (тип.) :@В ГС = 4.5В
Функция :Изрезанный
Тип :Оригинал
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Первоначальный транзистор Мосфет высокого напряжения, водитель Мосфет используя транзистор

 

Высоковольтные деятельность и характеристики транзистора Мосфет

 

Конструкция МОСФЭТ силы в В-конфигурациях, по мере того как мы можем увидеть в следующей диаграмме. Таким образом прибор также вызван как В-МОСФЭТ или В-ФЭТ. В- форма МОСФЭТ силы отрезана для того чтобы прорезать от поверхности прибора почти к субстрату Н+ к Н+, п, и н – слоям. Слой Н+ тяжело данный допинг слой с низким сопротивляющимся материалом и слой Н- слегка данный допинг слой с высокоомным регионом.

 

Высоковольтное описание особенности транзистора Мосфет

 

30В/34А
Р ДС (ДАЛЬШЕ) = (тип.) @В 7.1мΩ ГС = 10В
ДС (ДАЛЬШЕ) = р @В 10,0 мΩ (типа.) ГС = 4.5В
Испытанная лавина 100%
Надежный и изрезанный
Галоид свободный и зеленые приборы доступные
(РоХС уступчивое)

 

Высоковольтные применения транзистора Мосфет

 

Применение переключения
Управление силы для ДК/ДК
Предохранение от батареи

 

Приказывая и отмечать информация

 

К1
1503
ИИСССДЖВВ

 

Код пакета


К1: ДФН3*3-8Л   

                 

Код даты


ИИССС ВВ

 

Примечание: Продукты ХУАИИ неэтилированные содержат литьевые массы/умирают материалы присоединения и плита олова Терми- штейна 100%
Финиш нации; что полно уступчивы с РоХС. Продукты ХУАИИ неэтилированные встречают или превышают неэтилированное требуют
менц ИПК/ДЖЭДЭК ДЖ-СТД-020 для классификации МСЛ на неэтилированной пиковой температуре рефлов. ХУАИИ определяет
«Зеленый цвет» для того чтобы значить неэтилированное (РоХС уступчивое) и галоид свободный (Бр или Кл не превышают 900ппм по весу внутри
однородные материал и итог Бр и Кл не превышают 1500ппм по весу).
ХУАИИ резервирует право сделать изменения, коррекции, повышения, изменения, и улучшения к этому пр
одукт и/или к этому документу в любое время без предварительного уведомления.

 

Абсолютный максимум оценок

Первоначальный транзистор Мосфет высокого напряжения, водитель Мосфет используя транзистор

 

Типичные характеристики Оператинг

 

Первоначальный транзистор Мосфет высокого напряжения, водитель Мосфет используя транзистор

 

 

Запрос Корзина 0