CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
7 лет
Главная / продукты / Mos Field Effect Transistor /

Расклассифицированное лавиной управление силы систем инвертора транзистора влияния поля Мос

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

Расклассифицированное лавиной управление силы систем инвертора транзистора влияния поля Мос

Спросите последнюю цену
Номер модели :1606 Д-У-В
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :переговоров
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Срок поставки :1 до 2 недели
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Название продукта :Транзистор влияния поля Мос
В напряжение тока Сток-источника ДСС :60 v
В напряжение тока Ворот-источника ГСС :±25 в
Температура соединения т дж максимальная :°К 175
Диапазон температур хранения т СТГ :°C -55 до 150
И источник с Настоящ-непрерывный (диод тела) :66A
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Расклассифицированное лавиной управление силы систем инвертора транзистора влияния поля Мос

 

Описание транзистора влияния поля Мос

 

Транзистор влияния поля Мос тип МОСФЭТ. Принцип действия МОСФЭТ силы подобен МОСФЭТ генерала. МОСФЭТС силы очень особенные для регуляции высокого уровня сил. Он показывает высокую скорость переключения и путем сравнивать с нормальным МОСФЭТ, МОСФЭТ силы будет работать лучше. МОСФЭЦ силы широко использованы в режиме повышения н-канала, режиме повышения п-канала, и в природе режима расхода н-канала. Здесь мы объясняли о МОСФЭТ силы Н-канала. Дизайн МОСФЭТ силы был сделан путем использование технологии КМОС и также был использован для развития изготовлять интегральные схемаы в 1970с.

 

Особенность транзистора влияния поля Мос

 

V/ А,
Р  ДС (ДАЛЬШЕ) =10.4м (типа.) @ в ГС =10В
Расклассифицированная лавина
Надежный и изрезанный
Неэтилированные и зеленые приборы доступные
(РоХС уступчивое)

 

Применения транзистора влияния поля Мос

 

Управление силы для систем инвертора.

 

Приказывая и отмечать информация

 

Д
У: ТО-251-3Л Д: ТО-252-2Л
Приказывая и отмечать информация
Г: Неэтилированный прибор
Код даты
Код пакета
Материал собрания
ИИССС ВВ
1606
ИИСССДЖВВ Г
1606
ИИСССДЖВВ Г
В1.1
1
ХУАИИ
ХУАИИ определяет
финиш атион; что полно уступчивы с РоХС. Руководство ХУАИИ
Примечание: Продукты ХУАИИ неэтилированные содержат литьевые массы/умирают материалы присоединения и плита олова штейна 100%
Продукты Термин свободные от встречают или превышают руководство
Свободные требования ИПК/ДЖЭДЭК ДЖ-СТД-020 для классификации МСЛ на неэтилированной пиковой температуре рефлов.
«Зеленый цвет» для того чтобы значить неэтилированное (РоХС уступчивое) и галоид свободный (Бр или Кл не превышают
900ппм по весу в однородных материале и итоге Бр и Кл не превышает 1500ппм по весу).
резервирует право сделать изменения, коррекции, повышения, изменения, и улучшения к
этот продукт и/или к этому документу в любое время без предварительного уведомления.

 

Абсолютный максимум оценок

 

Расклассифицированное лавиной управление силы систем инвертора транзистора влияния поля Мос

Запрос Корзина 0