CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
7 лет
Главная / продукты / Mos Field Effect Transistor /

В транзистор влияния поля н Мос конфигураций/режим повышения канала п

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

В транзистор влияния поля н Мос конфигураций/режим повышения канала п

Спросите последнюю цену
Номер модели :10П10 Д-У
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Срок поставки :1 до 2 недели
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Название продукта :Транзистор влияния поля Мос
В напряжение тока Сток-источника ДСС :-100 в
В напряжение тока Ворот-источника ГСС :±20 v
Температура соединения т дж максимальная :°C 175
Диапазон температур хранения т СТГ :°К -55 до 175
Тип :В конфигурации
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

В транзистор влияния поля н Мос конфигураций/режим повышения канала п

 

Введение транзистора влияния поля Мос

 

Технология МОСФЭТ идеальна для пользы в много применений силы, где низкий переключатель на сопротивлении позволяет высокие уровни эффективности быть достиганным.

Несколько различных разнообразий МОСФЭТ силы доступных от различных изготовителей, каждого со своими собственными характеристиками и способностей.

Много МОСФЭЦ силы включают вертикальную топологию структуры. Это включает сильнотоковое переключение с высокой эффективностью в пределах относительно небольшого умирает зона. Оно также позволяет прибор поддержать переключение большого тока и напряжения тока.

 

Описание Пин особенности транзистора влияния поля Мос


-100В/-10А
Р ДС (ДАЛЬШЕ) = (тип.) @В 187мΩ ГС = -10В
Р ДС (ДАЛЬШЕ) = (тип.) @В 208мΩ ГС = -4.5В
испытанное 100%Аваланче
Надежный и изрезанный
Галоид свободный и зеленое ДевисесАвайлабле
(РоХСКомплянт)

 

Применения транзистора влияния поля Мос


Управление силы для систем инвертора

 

Приказывая и отмечать информация


Код пакета


Д: ТО-252-2Л У: ТО-251-3Л
Материал собрания кода даты
ИИССС ВВ Г: Галоид освобождает


Примечание: Продукты ХУАИИ неэтилированные содержат литьевые массы/умирают материалы присоединения и платеТерми- олова штейна 100%
Финиш нации; что полно уступчивы с РоХС. Продукты ХУАИИ неэтилированные встречают или превышают неэтилированное требуют
менц ИПК/ДЖЭДЭК ДЖ-СТД-020 для классификации МСЛ на неэтилированной пиковой температуре рефлов. ХУАИИ определяет «зеленый цвет»
значить неэтилированное (РоХС уступчивое) и галоид свободный (Бр или Кл не превышают 900ппм по весу в однородном
материальный и полный Бр и Кл не превышает 1500ппм по весу).
ХУАИИ резервирует право сделать изменения, коррекции, повышения, изменения, и улучшения к этому пр
- одукт и/или к этому документу в любое время без предварительного уведомления

 

Абсолютный максимум оценок

 

В транзистор влияния поля н Мос конфигураций/режим повышения канала п

Примечание: * повторяющийся оценка; ширина ИМПа ульс ограничиваемая температурой макс.джунктион.
** Ограниченный т дж максимальным, начинающ т дж =25°К, л = 0.5мХ, ВД=-80В, в ГС =-10В.

 

Электрические характеристики (Тк =25°К УньлессОтервисеНотед)

 

В транзистор влияния поля н Мос конфигураций/режим повышения канала п

Электрические характеристики (Конт.) (Тк =25°К УньлессОтервисеНотед)

 

В транзистор влияния поля н Мос конфигураций/режим повышения канала п

Примечание: тест *Пульсе, пульсевидтх≤ 300ус, дутысикле≤ 2%

 

В транзистор влияния поля н Мос конфигураций/режим повышения канала п

 

 

Запрос Корзина 0