CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
6 лет
Главная / продукты / Mosfet Power Transistor /

Первоначальный транзистор канала п/высоковольтный транзистор 50П06Д ТО-252

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

Первоначальный транзистор канала п/высоковольтный транзистор 50П06Д ТО-252

Спросите последнюю цену
Номер модели :50П06Д ТО-252
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :переговоров
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Срок поставки :1 до 2 недели
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Название продукта :транзистор канала п
Оригинал :Да
напряжение тока Сток-источника :-60 v
Напряжение тока Строб-Источника :±20 v
Другое имя :высоковольтный транзистор
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Первоначальный транзистор канала п/высоковольтный транзистор 50П06Д ТО-252

 

ОПИСАНИЕ транзистора канала п

 

Канава 50П06Д выдвинутая пользами
технология для того чтобы обеспечить превосходный р ДС (ДАЛЬШЕ)
и низкая обязанность ворот. Этот прибор
соответствующий для пользы как переключатель нагрузки или внутри
Применения ПВМ


ОСОБЕННОСТИ ГЕНЕРАЛА транзистора канала п

 

В ДС = - 60В, И Д =-50А
Р наивысшей мощности ДС (ДАЛЬШЕ < 25m=""> ) р ДС (ДАЛЬШЕ < 30m=""> ) и настоящая вручая возможность
Неэтилированный продукт приобретен
Поверхностный пакет держателя
 

Применение транзистора канала п


Применения ПВМ
Переключатель нагрузки
Управление силы

Первоначальный транзистор канала п/высоковольтный транзистор 50П06Д ТО-252

 

Маркировка и упорядочение информации пакета

Первоначальный транзистор канала п/высоковольтный транзистор 50П06Д ТО-252

 

АБСОЛЮТНЫЙ МАКСИМУМ ОЦЕНОК (в противном случае замеченные ТА=25℃уньлесс)

Первоначальный транзистор канала п/высоковольтный транзистор 50П06Д ТО-252

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (в противном случае замеченное ТА=25℃уньлесс)

Первоначальный транзистор канала п/высоковольтный транзистор 50П06Д ТО-252

 

ПРИМЕЧАНИЯ:


1. Повторяющийся оценка: Ширина ИМПа ульс ограничиваемая максимальной температурой соединения.
2. поверхность установленная на 1ин 2 ФР4 доска, сек ≤ 10 т.
3. тест ИМПа ульс: ≤ 300μс ширины ИМПа ульс, ≤ 2% круга обязаностей. 4. гарантированный дизайн, не подчиненный к испытанию продукции.

 

ТИПИЧНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ТЕРМАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

 

 

 

Первоначальный транзистор канала п/высоковольтный транзистор 50П06Д ТО-252

Первоначальный транзистор канала п/высоковольтный транзистор 50П06Д ТО-252

 

Данные по пакета ДФН5С6-8

 

Первоначальный транзистор канала п/высоковольтный транзистор 50П06Д ТО-252

Запрос Корзина 0