CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
6 лет
Главная / продукты / Mosfet Power Transistor /

Транзистор наивысшей мощности 30П06Д ТО-252, изготовленный на заказ транзистор влияния поля

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

Транзистор наивысшей мощности 30П06Д ТО-252, изготовленный на заказ транзистор влияния поля

Спросите последнюю цену
Номер модели :30П06Д ТО-252
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :переговоров
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Срок поставки :1 до 2 недели
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Название продукта :транзистор наивысшей мощности
Особенности :Высокая мощность
напряжение тока Сток-источника :-60 v
Напряжение тока Строб-Источника :±20 v
Другое имя :Транзистор влияния поля
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Транзистор наивысшей мощности 30П06Д ТО-252, изготовленный на заказ транзистор влияния поля

 

ОПИСАНИЕ транзистора наивысшей мощности


Канава 30П06Д выдвинутая пользами
технология для того чтобы обеспечить превосходный р ДС (ДАЛЬШЕ)
и низкая обязанность ворот. Этот прибор
соответствующий для пользы как переключатель нагрузки или внутри
Применения ПВМ.


ОСОБЕННОСТИ ГЕНЕРАЛА транзистора наивысшей мощности


В ДС = - 60В, И Д =-30А
Р наивысшей мощности ДС (ДАЛЬШЕ < 40m=""> ) р ДС (ДАЛЬШЕ < 55m=""> ) и настоящая вручая возможность
Неэтилированный продукт приобретен
Поверхностный пакет держателя


Применение транзистора наивысшей мощности


Применения ПВМ
Управление силы

Транзистор наивысшей мощности 30П06Д ТО-252, изготовленный на заказ транзистор влияния поля

 

Маркировка и упорядочение информации пакета

Транзистор наивысшей мощности 30П06Д ТО-252, изготовленный на заказ транзистор влияния поля

 

АБСОЛЮТНЫЙ МАКСИМУМ ОЦЕНОК (в противном случае замеченные ТА=25℃уньлесс)

Транзистор наивысшей мощности 30П06Д ТО-252, изготовленный на заказ транзистор влияния поля

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (в противном случае замеченное ТА=25℃уньлесс)

Транзистор наивысшей мощности 30П06Д ТО-252, изготовленный на заказ транзистор влияния поля

 

ПРИМЕЧАНИЯ:


1. Повторяющийся оценка: Ширина ИМПа ульс ограничиваемая максимальной температурой соединения.
2. поверхность установленная на 1ин 2 ФР4 доска, сек ≤ 10 т.
3. тест ИМПа ульс: ≤ 300μс ширины ИМПа ульс, ≤ 2% круга обязаностей. 4. гарантированный дизайн, не подчиненный к испытанию продукции.

 

ТИПИЧНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ТЕРМАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Транзистор наивысшей мощности 30П06Д ТО-252, изготовленный на заказ транзистор влияния поля

Транзистор наивысшей мощности 30П06Д ТО-252, изготовленный на заказ транзистор влияния поля

Транзистор наивысшей мощности 30П06Д ТО-252, изготовленный на заказ транзистор влияния поля

 

Данные по пакета ТО-252

 

Транзистор наивысшей мощности 30П06Д ТО-252, изготовленный на заказ транзистор влияния поля

Запрос Корзина 0