CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
7 лет
Главная / продукты / Mosfet Power Transistor /

Переключение цепи транзистора силы 2А Мосфет канала н 600В для привода СИД

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

Переключение цепи транзистора силы 2А Мосфет канала н 600В для привода СИД

Спросите последнюю цену
Номер модели :5Н20ДИ ТО-252
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :переговоров
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Срок поставки :1 до 2 недели
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Название продукта :транзистор силы mosfet
Тип :Канал н
напряжение тока Сток-источника :200 в
Напряжение тока Строб-Источника :±20V
Применения :Привод СИД
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Переключение цепи транзистора силы 2А Мосфет канала н 600В для привода СИД

 

Описание транзистора силы Мосфет

 

Канава АП50Н20Д выдвинутая пользами

технология для того чтобы обеспечить превосходный РДС (ДАЛЬШЕ) и низкую обязанность ворот.

Комплементарные МОСФЭЦ могут быть использованы для того чтобы сформировать переключатель перенесенный уровнем высокий бортовой, и для хозяина другого

 

Особенности транзистора силы Мосфет общие


В ДС =200В, И Д =5А
Р ДС (ДАЛЬШЕ) <520m>

 

Применение транзистора силы Мосфет

 

Переключение нагрузки

Крепко переключенный и частота коротковолнового диапазона обходит вокруг бесперебойное электропитание

 

Маркировка и упорядочение информации пакета

 

ИД продукта Пакет Отмечать Кты (ПКС)
5Н20Д ТО-252 5Н20Д 3000
5Н20И ТО-251 5Н20И 4000

 

Абсолютный максимум оценок (в противном случае замеченные ТА=25℃уньлесс)

 

Параметр Символ Предел Блок
Напряжение тока Сток-источника ВДС 200 В
Напряжение тока Ворот-источника ВГС ±20 В
Стеките Настоящ-непрерывное ИД 5 А
Стеките Настоящ-пульсированный (примечание 1) ИДМ 20 А
Максимальная диссипация силы ПД 30 В
Работая диапазон температур соединения и хранения ТДЖ, ТСТГ -55 до 150

 

Термальная характеристика

 

Термальное сопротивление, Соединени-к-окружающее (примечание 2) РθДжА 4,17 ℃/В

 

Электрические характеристики (в противном случае замеченные ТА=25℃уньлесс)

 

Параметр Символ Условие Минута Тип Макс Блок
С характеристик
Пробивное напряжение Сток-источника БВДСС ВГС=0В ИД=250μА 200 - - В
Зеро течение стока напряжения тока ворот ИДСС ВДС=200В, ВГС=0В - - 1 μА
Течение утечки Ворот-тела ИГСС ВГС=±20В, ВДС=0В - - ±100 нА
На характеристиках (примечании 3)
Напряжение тока порога ворот ВГС (тх) ВДС=ВГС, ИД=250μА 1,2 1,7 2,5 В
Сопротивление На-государства Сток-источника РДС (ДАЛЬШЕ) ВГС=10В, ИД=2А - 520 580 мΩ
Передний Транскондуктансе гФС ВДС=15В, ИД=2А - 8 - С
Характеристики динамической чувствительности (Ноте4)
Входная емкость Кльсс

 

ВДС=25В, ВГС=0В, Ф=1.0МХз

- 580 - ПФ
Емкость выхода Косс - 90 - ПФ
Обратная емкость передачи Крсс - 3 - ПФ
Характеристики переключения (примечание 4)
Турн-он время задержки тд (дальше)

 

ВДД=100В, РЛ=15Ω ВГС=10В, РГ=2.5Ω

- 10 - нС
Турн-он время восхода тр - 12 - нС
Время задержки поворота- тд () - 15 - нС
Время падения поворота- тф - 15 - нС
Полная обязанность ворот Кг

 

ВДС=100В, ИД=2А, ВГС=10В

- 12   нК
Обязанность Ворот-источника Кгс - 2,5 - нК
Обязанность Ворот-стока Кгд - 3,8 - нК
Характеристики диода Сток-источника
Пропускное напряжение диода (примечание 3) ВСД ВГС=0В, ИС=2А - - 1,2 В
Пропускной ток диода (примечание 2)   - - 5 А

 

Примечания:

  1. Повторяющийся оценка: Ширина ИМПа ульс ограничиваемая максимальной температурой соединения.
  2. Поверхность установленная на ФР4 доске, сек ≤ 10 т.
  3. Тест ИМПа ульс: ≤ 300μс ширины ИМПа ульс, ≤ 2% круга обязаностей.
  4. Гарантированный дизайн, не подчиненный к продукции

Переключение цепи транзистора силы 2А Мосфет канала н 600В для привода СИД

Переключение цепи транзистора силы 2А Мосфет канала н 600В для привода СИД

Переключение цепи транзистора силы 2А Мосфет канала н 600В для привода СИД

Переключение цепи транзистора силы 2А Мосфет канала н 600В для привода СИД

 

Символ

Размеры в миллиметрах Размеры в дюймах
Минимальный. Макс. Минимальный. Макс.
А 2,200 2,400 0,087 0,094
А1 0,000 0,127 0,000 0,005
б 0,660 0,860 0,026 0,034
к 0,460 0,580 0,018 0,023
Д 6,500 6,700 0,256 0,264
Д1 5,100 5,460 0,201 0,215
Д2 0,483 ТИПА. 0,190 ТИПА.
Э 6,000 6,200 0,236 0,244
е 2,186 2,386 0,086 0,094
Л 9,800 10,400 0,386 0,409
Л1 2,900 ТИП. 0,114 ТИПА.
Л2 1,400 1,700 0,055 0,067
Л3 1,600 ТИП. 0,063 ТИПА.
Л4 0,600 1,000 0,024 0,039
Φ 1,100 1,300 0,043 0,051
θ
х 0,000 0,300 0,000 0,012
В 5,350 ТИП. 0,211 ТИПА.

 

Переключение цепи транзистора силы 2А Мосфет канала н 600В для привода СИД

Запрос Корзина 0