CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
7 лет
Главная / продукты / Mosfet Power Transistor /

Сильный переключатель 2Н60 ТО-220Ф Мосфет канала транзистора уровня логики/н

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

Сильный переключатель 2Н60 ТО-220Ф Мосфет канала транзистора уровня логики/н

Спросите последнюю цену
Номер модели :2N60- ТО-220Ф
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :переговоров
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Срок поставки :1 до 2 недели
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Название продукта :Транзистор логики ровный
Особенности :Мощный
напряжение тока Сток-источника :600v
Напряжение тока Строб-Источника :± 30В
Тип :Переключатель Мосфет канала н
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Сильный переключатель 2Н60 ТО-220Ф Мосфет канала транзистора уровня логики/н
 
ОПИСАНИЕ транзистора логики ровное
 
УТК 2Н60-ТК3 высоковольтный МОСФЭТ силы и конструирован для того чтобы иметь лучшие характеристики, как быстрое время переключения, низкая обязанность ворот, низкое сопротивление на-государства и иметь характеристики высокие изрезанные лавины. Этот МОСФЭТ силы обычно используемые на высокой скорости переключая применения в управлениях электропитаний, мотора ПВМ, высоком эффективном ДК к конвертерам ДК и мостиковых схемах.
 
ОСОБЕННОСТИ транзистора логики ровные
 
* скорость переключения РДС ( < 7="">ДАЛЬШЕ) * высокая
 
СИМВОЛ транзистора логики ровный
Сильный переключатель 2Н60 ТО-220Ф Мосфет канала транзистора уровня логики/н
УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ

Порядковый номер

Пакет

Штыревая идентификация

Паковать

Неэтилированный

Галоид освобождает

1

2

3

2Н60Л-ТФ1-Т

2Н60Г-ТФ1-Т

ТО-220Ф1

Г

Д

С

Трубка

2Н60Л-ТФ3-Т

2Н60Г-ТФ3-Т

ТО-220Ф

Г

Д

С

Трубка

2Н60Л-ТМ3-Т

2Н60Г-ТМ3-Т

ТО-251

Г

Д

С

Трубка


Примечание: Штыревая идентификация: Г: Ворота д: Сток с: Источник
 
Сильный переключатель 2Н60 ТО-220Ф Мосфет канала транзистора уровня логики/н
ОТМЕЧАТЬ
Сильный переключатель 2Н60 ТО-220Ф Мосфет канала транзистора уровня логики/н
АБСОЛЮТНЫЙ МАКСИМУМ ОЦЕНОК (ТК = 25°С, если не указано иное)
 

ПАРАМЕТР

СИМВОЛ

ОЦЕНКИ

БЛОК

Напряжение тока Сток-источника

ВДСС

600

В

Напряжение тока Ворот-источника

ВГСС

± 30

В

Стеките течение

Непрерывный

ИД

2

А

Пульсированный (примечание 2)

ИДМ

4

А

Энергия лавины

Определите пульсированный (примечание 3)

ЭАС

84

мДж

Выступите спасение дв/дт диода (примечание 4)

дв/дт

4,5

В/нс

Диссипация силы

ТО-220Ф/ТО-220Ф1

ПД

23

В

ТО-251

44

В

Температура соединения

ТДЖ

+150

°К

Температура хранения

ТСТГ

-55 | +150

°К

Примечания: 1. абсолютный максимум оценок те значения за которыми прибор смог постоянно быть поврежден.
Абсолютный максимум оценок оценки стресса только и функциональная деятельность прибора не подразумевается.

  1. Повторяющийся оценка: Ширина ИМПа ульс ограничиваемая максимальной температурой соединения.

  2. Л = 84мХ, ИАС =1.4А, ВДД = 50В, РГ = Ω 25 начиная ТДЖ = 25°К

  3. ≤ 2.0А ИСД, ди/дт ≤200А/μс, ВДД ≤БВДСС, начиная ТДЖ = 25°К

ТЕПЛОВЫЕ ДАННЫЕ
 

ПАРАМЕТР

СИМВОЛ

ОЦЕНКИ

БЛОК

Соединение к окружающему

ТО-220Ф/ТО-220Ф1

θДжА

62,5

°К/В

ТО-251

100

°К/В

Соединение к случаю

ТО-220Ф/ТО-220Ф1

θДжК

5,5

°К/В

ТО-251

2,87

°К/В

 
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (ТДЖ = 25°С, если не указано иное)
 

ПАРАМЕТР

СИМВОЛ

УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЙ

МИНУТА

ТИП

МАКС

БЛОК

С ХАРАКТЕРИСТИК

Пробивное напряжение Сток-источника

БВДСС

ВГС=0В, ИД= 250μА

600

 

 

В

Течение утечки Сток-источника

ИДСС

ВДС=600В, ВГС=0В

 

 

1

µА

Течение утечки Ворот-источника

Передний

ИГСС

ВГС=30В, ВДС=0В

 

 

100

нА

Обратный

ВГС=-30В, ВДС=0В

 

 

-100

нА

НА ХАРАКТЕРИСТИКАХ

Напряжение тока порога ворот

ВГС (ТХ)

ВДС=ВГС, ИД=250μА

2,0

 

4,0

В

Статическое сопротивление На-государства Сток-источника

РДС (ДАЛЬШЕ)

ВГС=10В, ИД=1.0А

 

 

7,0

ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИНАМИЧЕСКОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ

Входная емкость

КИСС

 
ВГС=0В, ВДС=25В, ф=1.0 МХз

 

190

 

пФ

Емкость выхода

КОСС

 

28

 

пФ

Обратная емкость передачи

КРСС

 

2

 

пФ

ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ

Полная обязанность ворот (примечание 1)

КГ

ВДС=200В, ВГС=10В, ИД=2.0А ИГ=1мА (примечание 1, 2)

 

7

 

нК

Обязанность Гатеоурсе

КГС

 

2,9

 

нК

Обязанность Ворот-стока

КГД

 

1,9

 

нК

Турн-он время задержки (примечание 1)

тД (ДАЛЬШЕ)

 
ВДС=300В, ВГС=10В, ИД=2.0А, РГ=25Ω (примечание 1, 2)

 

4

 

нс

Время восхода

тР

 

16

 

нс

Время задержки поворота-

тД ()

 

16

 

нс

Падени-время

тФ

 

19

 

нс

ОЦЕНКИ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДА СТОКА ИСТОЧНИКА

Максимальный непрерывно протекающий ток Тел-диода

 

 

 

2

А

Максимальный Тел-диод пульсировал течение

ИЗМ

 

 

 

8

А

Пропускное напряжение диода Сток-источника (примечание 1)

ВСД

ВГС=0В, ИС=2.0А

 

 

1,4

В

Обратное время восстановления (примечание 1)

трр

ВГС=0В, ИС=2.0А,
дИФ/дт=100А/µс (Ноте1)

 

232

 

нс

Обратная обязанность спасения

Крр

 

1,1

 

µК

Примечания: 1. тест ИМПа ульс: ≤ 300µс ширины ИМПа ульс, ≤ 2% круга обязаностей.
   Существенно независимый рабочей температуры.
 
Сильный переключатель 2Н60 ТО-220Ф Мосфет канала транзистора уровня логики/н
Сильный переключатель 2Н60 ТО-220Ф Мосфет канала транзистора уровня логики/н
Сильный переключатель 2Н60 ТО-220Ф Мосфет канала транзистора уровня логики/н
Сильный переключатель 2Н60 ТО-220Ф Мосфет канала транзистора уровня логики/н
Сильный переключатель 2Н60 ТО-220Ф Мосфет канала транзистора уровня логики/н
 

Запрос Корзина 0