Параметр	Символ	Предел	Блок
Напряжение тока Сток-источника	ВДС	200	В
Напряжение тока Ворот-источника	ВГС	±20	В
Стеките Настоящ-непрерывное	ИД	5	А
Стеките Настоящ-пульсированный ^{(примечание 1)}	ИДМ	20	А
Максимальная диссипация силы	ПД	30	В
Работая диапазон температур соединения и хранения	ТДЖ, ТСТГ	-55 до 150	℃

Примечания: 1. абсолютный максимум оценок те значения за которыми прибор смог постоянно быть поврежден.

Абсолютный максимум оценок оценки стресса только и функциональная деятельность прибора не подразумевается.

4. Повторяющийся оценка: Ширина ИМПа ульс ограничиваемая максимальной температурой соединения.

5. Л = 84мХ, И_КАК =1.4А, в_ДД = 50В, р_г = Ω 25 начиная т_дж = 25°К

6. И ≤ 2.0А_СД, ди/дт ≤200А/μс, _ДД ≤БВ_ДСС В, начиная т_дж = 25°К

ТЕПЛОВЫЕ ДАННЫЕ

Термальное сопротивление, Соединени-к-окружающее ^{(примечание 2)}

РθДжА

4,17

℃/В

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (т_дж = 25°С, если не указано иное)

Параметр	Символ	Условие	Минута	Тип	Макс	Блок
С характеристик
Пробивное напряжение Сток-источника	БВДСС	В_ГС=0В и_Д=250μА	200	-	-	В
Зеро течение стока напряжения тока ворот	ИДСС	ВДС=200В, ВГС=0В	-	-	1	μА
Течение утечки Ворот-тела	ИГСС	ВГС=±20В, ВДС=0В	-	-	±100	нА
На характеристиках ^{(примечании 3)}
Напряжение тока порога ворот	ВГС (тх)	В_ДС=ВГС, И_Д=250μА	1,2	1,7	2,5	В
Сопротивление На-государства Сток-источника	РДС (ДАЛЬШЕ)	В_ГС=10В, И_Д=2А	-	520	580	мΩ
Передний Транскондуктансе	гФС	В_ДС=15В, И_Д=2А	-	8	-	С
Характеристики динамической чувствительности ^(Ноте4)
Входная емкость	Кльсс	В_ДС=25В, в_ГС=0В, Ф=1.0МХз	-	580	-	ПФ
Емкость выхода	Косс		-	90	-	ПФ
Обратная емкость передачи	Крсс		-	3	-	ПФ
Характеристики переключения ^{(примечание 4)}
Турн-он время задержки	тд (дальше)	В_ДД=100В, Р_Л=15Ω в_ГС=10В, р_Г=2.5Ω	-	10	-	нС
Турн-он время восхода	т_р		-	12	-	нС
Время задержки поворота-	тд ()		-	15	-	нС
Время падения поворота-	т_ф		-	15	-	нС
Полная обязанность ворот	К_г	В_ДС=100В, И_Д=2А, В_ГС=10В	-	12		нК
Обязанность Ворот-источника	Кгс		-	2,5	-	нК
Обязанность Ворот-стока	Кгд		-	3,8	-	нК
Характеристики диода Сток-источника
Пропускное напряжение диода ^{(примечание 3)}	ВСД	В_ГС=0В, И_С=2А	-	-	1,2	В
Пропускной ток диода ^{(примечание 2)}	И_С		-	-	5	А

Примечания: 1. тест ИМПа ульс: ≤ 300µс ширины ИМПа ульс, ≤ 2% круга обязаностей.

Существенно независимый рабочей температуры.

Метки товара:

МОСФЭТ режима повышения Н-канала 5Н20ДИ 200В

Транзистор силы Mosfet

Транзисторы силы подсказки

Транзистор силы кремния

Двойной переключая диод

Транзистор влияния поля Mos

Удваивает - Mosfet канала

Быстрый диод выпрямителя тока спасения

Стабилитрон силы

Выпрямитель по мостиковой схеме Schottky

Высоковольтный диод выпрямителя тока

Триод полупроводника

Стабилизатор IC напряжения тока

МОСФЭТ режима повышения Н-канала 5Н20ДИ 200В

ОПИСАНИЕ

УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ

ТЕПЛОВЫЕ ДАННЫЕ

n channel power mosfet

n-channel mosfet

n channel mosfet