CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
6 лет
Главная / продукты / Semiconductor Triode /

Напряжение тока -5 в излучателя триода ТИП42/42А/42Б/42К полупроводника наивысшей мощности низкопробное

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

Напряжение тока -5 в излучателя триода ТИП42/42А/42Б/42К полупроводника наивысшей мощности низкопробное

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 до 2 недели
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Номер модели :ТИП42/42А/42Б/42К
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

ТО-220-3Л Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов ТИП42/42А/42Б/42К (ПНП)

 

 

 

ОСОБЕННОСТЬ
 

Применения переключения средней силы линейные

Комплект к ТИП41/41А/41Б/41К

 

 

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (животики =25℃ если не указано иное)

 

Символ Параметр ТИП42 ТИП42А ТИП42Б ТИП42К Блок
ВКБО Напряжение тока коллектора- база -40 -60 -80 -100 В
ВКЭО Напряжение тока коллектор- эмиттера -40 -60 -80 -100 В
ВЭБО Напряжение тока Излучател-основания -5 В
ИК Течение сборника - непрерывное -6 А
ПК Диссипация силы сборника 2 В
ТДж Температура соединения 150
Цтг Диапазон температур хранения -55то+150

 

 

 

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Та=25℃ если не указано иное)

Параметр Символ Условия испытаний Минута Макс Блок

Пробивное напряжение ТИП42 коллектора- база

ТИП42А ТИП42Б ТИП42К

 

 

В (БР) КБО

 

 

ИК= -1МА, Т.Е. =0

-40

-60

-80

-100

 

 

 

В

Пробивное напряжение ТИП42 коллектор- эмиттера

ТИП42А ТИП42Б ТИП42К

 

В (БР) КЭО*

 

 

ИК= -30МА, ИБ=0

-40

-60

-80

-100

 

 

 

В

пробивное напряжение Излучател-основания В (БР) ЭБО Т.Е. = -1МА, ИК=0 -5   В

Течение выключения сборника ТИП42 ТИП42А ТИП42Б

ТИП42К

 

 

ИКБО

ВКБ=-40В, Т.Е. =0 ВКБ=-60В, Т.Е. =0 ВКБ=-80В, Т.Е. =0 ВКБ=-100В, Т.Е. =0  

 

 

-0,4

 

 

мамы

Течение выключения сборника ТИП42/42А ТИП42Б/42К ИКЭО

ВКЭ= -30В, ИБ= 0

ВКЭ= -60В, ИБ= 0

  -0,7 мамы
Течение выключения излучателя ИЭБО ВЭБ=-5В, ИК=0   -1 мамы

 

Увеличение ДК настоящее

хФЭ (1) ВКЭ=-4В, ИК=-0.3А 30    
  хФЭ (2) ВКЭ=-4 В, ИК= -3А 15 75  
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера (Сидеть) ВКЭ ИК=-6А, ИБ=-0.6А   -1,5 В
напряжение тока Основани-излучателя ВБЭ ВКЭ=-4В, ИК=-6А   -2 В
Частота перехода фт ВКЭ=-10В, ИК=-0.5 3   МХЗ

 

 

 

Типичное Чарактериситикс

 

ТИП42К

 

Напряжение тока -5 в излучателя триода ТИП42/42А/42Б/42К полупроводника наивысшей мощности низкопробное

Напряжение тока -5 в излучателя триода ТИП42/42А/42Б/42К полупроводника наивысшей мощности низкопробное

Напряжение тока -5 в излучателя триода ТИП42/42А/42Б/42К полупроводника наивысшей мощности низкопробное

Напряжение тока -5 в излучателя триода ТИП42/42А/42Б/42К полупроводника наивысшей мощности низкопробное

 

 

 

Размеры плана пакета ТО-220-3Л

 

 

Символ Размеры в миллиметрах Размеры в дюймах
  Минута Макс Минута Макс
А 4,470 4,670 0,176 0,184
А1 2,520 2,820 0,099 0,111
б 0,710 0,910 0,028 0,036
б1 1,170 1,370 0,046 0,054
к 0,310 0,530 0,012 0,021
к1 1,170 1,370 0,046 0,054
Д 10,010 10,310 0,394 0,406
Э 8,500 8,900 0,335 0,350
Э1 12,060 12,460 0,475 0,491
е 2,540 ТИП 0,100 ТИПА
е1 4,980 5,180 0,196 0,204
Ф 2,590 2,890 0,102 0,114
х 0,000 0,300 0,000 0,012
Л 13,400 13,800 0,528 0,543
Л1 3,560 3,960 0,140 0,156
Φ 3,735 3,935 0,147 0,155

 

 

Напряжение тока -5 в излучателя триода ТИП42/42А/42Б/42К полупроводника наивысшей мощности низкопробное

 

 

 

 

 

 


 

Запрос Корзина 0