CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
6 лет
Главная / продукты / Semiconductor Triode /

Диссипация силы 2В сборника триода полупроводника ТИП32/32А/32Б/32К высокочастотная

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

Диссипация силы 2В сборника триода полупроводника ТИП32/32А/32Б/32К высокочастотная

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 до 2 недели
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Номер модели :ТИП32/32А/32Б/32К
Удостоверение личности продукта :ТИП32/32А/32Б/32К
Диссипация силы сборника :2w
Тип :Триод полупроводника
Функция :Высокая Частота
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

ТО-220-3Л Пластмасс-помещают транзисторы

 

 

ТИП32/32А/32Б/32К

 

 

ОСОБЕННОСТЬ
 
Применения переключения средней силы линейные
 
 

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (животики =25℃ если не указано иное)

Символ Параметр ТИП31 ТИП31А ТИП31Б ТИП31К Блок
ВКБО Напряжение тока коллектора- база 40 60 80 100 В
ВКЭО Напряжение тока коллектор- эмиттера 40 60 80 100 В
ВЭБО Напряжение тока Излучател-основания 5 В
ИК Течение сборника 3 А
ПК Диссипация силы сборника 2 В
РθДжА Термальное сопротивление от соединения к окружающему 62,5  
Тдж Температура соединения 150
Цтг Температура хранения -55~+150

 

 

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (животики =25℃ если другое определенное мудрое)

Параметр Символ Условия испытаний Минута Ось м Блок
Пробивное напряжение коллектора- база ТИП31 ТИП31А ТИП31Б ТИП31К

 

 

В (БР) КБО

 

 

ИК= 1мА, Т.Е. =0

40

60

80

100

 

 

 

В

Пробивное напряжение коллектор- эмиттера * ТИП31 ТИП31А ТИП31Б ТИП31К

 

 

ВКЭО (сус)

 

 

ИК= 30мА, ИБ=0

40

60

80

100

 

 

 

В

пробивное напряжение Излучател-основания В (БР) ЭБО Т.Е. = 1мА, ИК=0 5   В
Течение выключения сборника

ТИП31 ТИП31А ТИП31Б

ТИП31К

 

 

ИКБО

ВКБ=40В, Т.Е. =0 ВКБ=60В, Т.Е. =0 ВКБ=80В, Т.Е. =0 ВКБ=100В, Т.Е. =0  

 

 

200

 

 

μА

Течение выключения сборника ТИП31/31А ТИП31Б/31К ИКЭО ВКЭ= 30В, ИБ= 0 вКЭ= 60В, ИБ= 0  

 

0,3

 

мамы

Течение выключения излучателя ИЭБО ВЭБ=5В, ИК=0   1 мамы

 

Увеличение ДК настоящее

хФЭ (1) ВКЭ= 4В, ИК= 25    
хФЭ (2) ВКЭ=4 в, иК= 15 75  
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера (Сидеть) ВКЭ ИК=3А, ИБ=0.375А   1,2 В
напряжение тока Основани-излучателя ВБЭ (дальше) ВКЭ= 4В, ИК=3А   1,8 В
Частота перехода фт ВКЭ=10В, ИК=0.5А 3   МХз

 

 

* тест ИМПа ульс: ПВ≤300µс, обязанность Сикле≤2%.

 

 

 

Типичные характеристики ТИП31/31А/31Б/31К

 

Диссипация силы 2В сборника триода полупроводника ТИП32/32А/32Б/32К высокочастотная

 

 

 

Диссипация силы 2В сборника триода полупроводника ТИП32/32А/32Б/32К высокочастотная

Диссипация силы 2В сборника триода полупроводника ТИП32/32А/32Б/32К высокочастотная

 

 

 

Размеры плана пакета ТО-126

Символ Размеры в миллиметрах Размеры в дюймах
  Минута Макс Минута Макс
А 4,470 4,670 0,176 0,184
А1 2,520 2,820 0,099 0,111
б 0,710 0,910 0,028 0,036
б1 1,170 1,370 0,046 0,054
к 0,310 0,530 0,012 0,021
к1 1,170 1,370 0,046 0,054
Д 10,010 10,310 0,394 0,406
Э 8,500 8,900 0,335 0,350
Э1 12,060 12,460 0,475 0,491
е 2,540 ТИП 0,100 ТИПА
е1 4,980 5,180 0,196 0,204
Ф 2,590 2,890 0,102 0,114
х 0,000 0,300 0,000 0,012
Л 13,400 13,800 0,528 0,543
Л1 3,560 3,960 0,140 0,156
Φ 3,735 3,935 0,147 0,155

 

 

Диссипация силы 2В сборника триода полупроводника ТИП32/32А/32Б/32К высокочастотная
 

 

Запрос Корзина 0