CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
6 лет
Главная / продукты / Semiconductor Triode /

Транзисторы триода ТО-126 полупроводника ТИП122 ТИП127 помещенные пластмассой

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

Транзисторы триода ТО-126 полупроводника ТИП122 ТИП127 помещенные пластмассой

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 до 2 недели
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Номер модели :TIP127
Тип :Триод полупроводника
Транзистор Mosfet силы :Помещенная пластмасса ТО-126
Удостоверение личности продукта :ТИП122 ТИП127
Функция :Высокое увеличение ДК настоящее
Диссипация силы сборника :1.25W
Температура соединения :150℃
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

ТО-126 Пластмасс-помещают транзисторы

 

 

 

Транзистор ТИП122 Дарлинтон (НПН)

Транзистор ТИП127 Дарлинтон (ПНП)

 

 

ОСОБЕННОСТЬ
 
Транзисторы кремния средней силы комплементарные
 
 
ТО-126
 

1. ИЗЛУЧАТЕЛЬ

 

 2. СБОРНИК

 

3. ОСНОВАНИЕ

 

 

 

ОТМЕЧАТЬ

 

 

ТИП122, код ТИП127=Девисе

 

Прибор твердые точка = литьевая масса зеленого цвета, если никакой, нормальный прибор СС=Коде

 

Транзисторы триода ТО-126 полупроводника ТИП122 ТИП127 помещенные пластмассой

 

 

 

Схема эквивалентности

 

Транзисторы триода ТО-126 полупроводника ТИП122 ТИП127 помещенные пластмассой

 

 

УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ

Номер детали Пакет Способ уплотнения прокладками Количество пакета
ТИП122 ТО-126 Большая часть 200пкс/Баг
ТИП127 ТО-126 Большая часть 200пкс/Баг
ТИП122-ТУ ТО-126 Трубка 60пкс/Тубе
ТИП127-ТУ ТО-126 Трубка 60пкс/Тубе

 

 

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (животики =25℃ если не указано иное)

Символ Параметр ТИП122 ТИП127 Блок
ВКБО Напряжение тока коллектора- база 100 -100 В
ВКЭО Напряжение тока коллектор- эмиттера 100 -100 В
ВЭБО Напряжение тока Излучател-основания 5 -5 В
ИК Течение сборника - непрерывное 5 -5 А
ПК * Диссипация силы сборника 1,25 В
РθДжА Соединение термального сопротивления к окружающему 100 ℃/В
РθДжк Соединение термального сопротивления к случаю 8,33 ℃/В
ТДж Температура соединения 150
Цтг Температура хранения -55~+150

 

 


ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

 

Животики =25 Š если не указано иное

 

ТИП122 НПН
Параметр Символ Условия испытаний Минута Макс Блок
Пробивное напряжение коллектора- база В (БР) КБО ИК=1мА, Т.Е. =0 100   В
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера ВГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР (СУС) ИК=30мА, ИБ=0 100   В
Течение выключения сборника ИКБО ВКБ=100В, Т.Е. =0   0,2 мамы
Течение выключения сборника ИКЭО ВКЭ=50 В, ИБ=0   0,5 мамы
Течение выключения излучателя ИЭБО ВЭБ=5 В, ИК=0   2 мамы

 

Увеличение ДК настоящее

хФЭ (1) ВКЭ= 3В, ИК=0.5А 1000    
хФЭ (2) ВКЭ= 3В, ИК=3 а 1000 12000  

 

Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера

 

В (сидеть)КЭ

ИК=3А, ИБ=12мА   2

 

В

ИК=5 а, ИБ=20мА   4
напряжение тока Основани-излучателя ВБЭ ВКЭ=3В, ИК=3 А   2,5 В
Емкость выхода Удар ВКБ=10В, Т.Е. =0, ф=0.1МХз   200 пФ

 

 

ТИП127 ПНП
Параметр Символ Условия испытаний Минута Макс Блок
Пробивное напряжение коллектора- база В (БР) КБО ИК=-1мА, Т.Е. =0 -100   В
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера ВГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР (СУС) ИК=-30мА, ИБ=0 -100   В
Течение выключения сборника ИКБО ВКБ=-100В, Т.Е. =0   -0,2 мамы
Течение выключения сборника ИКЭО ВКЭ=-50 В, ИБ=0   -0,5 мамы
Течение выключения излучателя ИЭБО ВЭБ=-5 В, ИК=0   -2 мамы

 

Увеличение ДК настоящее

хФЭ (1) ВКЭ=-3В, ИК=-0.5А 1000    
хФЭ (2) ВКЭ=-3В, ИК=-3А 1000 12000  

 

Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера

 

В (сидеть)КЭ

ИК=-3А, ИБ=-12мА   -2

 

В

ИК=-5 а, ИБ=-20мА   -4
напряжение тока Основани-излучателя ВБЭ ВКЭ=-3В, ИК=-3 А   -2,5 В
Емкость выхода Удар ВКБ=-10В, Т.Е. =0, ф=0.1МХз   300 пФ

* этот тест выполнен без теплоотвода на та=25℃.

 

 

Типичные характеристики

Транзисторы триода ТО-126 полупроводника ТИП122 ТИП127 помещенные пластмассой

Транзисторы триода ТО-126 полупроводника ТИП122 ТИП127 помещенные пластмассой

Транзисторы триода ТО-126 полупроводника ТИП122 ТИП127 помещенные пластмассой

Транзисторы триода ТО-126 полупроводника ТИП122 ТИП127 помещенные пластмассой

 

 

 

 


Размеры плана пакета ТО-126

 

 

 

Символ Размеры в миллиметрах Размеры в дюймах
  Минута Макс Минута Макс
А 2,500 2,900 0,098 0,114
А1 1,100 1,500 0,043 0,059
б 0,660 0,860 0,026 0,034
б1 1,170 1,370 0,046 0,054
к 0,450 0,600 0,018 0,024
Д 7,400 7,800 0,291 0,307
Э 10,600 11,000 0,417 0,433
е 2,290 ТИП 0,090 ТИПА
е1 4,480 4,680 0,176 0,184
х 0,000 0,300 0,000 0,012
Л 15,300 15,700 0,602 0,618
Л1 2,100 2,300 0,083 0,091
П 3,900 4,100 0,154 0,161
Φ 3,000 3,200 0,118 0,126

 

Транзисторы триода ТО-126 полупроводника ТИП122 ТИП127 помещенные пластмассой

 

Запрос Корзина 0