CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
7 лет
Главная / продукты / Mos Field Effect Transistor /

Пластмасса транзистора влияния поля СОТ-23 Мос канала 20-В ХСИ2312 н (Д-С) помещает

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

Пластмасса транзистора влияния поля СОТ-23 Мос канала 20-В ХСИ2312 н (Д-С) помещает

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 до 2 недели
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Номер модели :ХСИ2312
Название продукта :транзистор силы mosfet
Температура соединения :150℃
Материал :кремний
Случае :Лента/поднос/вьюрок
Тип :Транзистор Mosfet
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта
 
 
СОТ-23 Пластмасс-помещают МОСФЭТ Н-канала 20-В МОСФЭТС ХСИ2312 (Д-С)
 

 

Сводка продукта

 

ИД= 6,0 а ВДСС=20в
РДС (дальше) <32 m="">
РДС (дальше) <40 m="">
 
 
ОСОБЕННОСТЬ 
 
МОСФЭТ силы ТренчФЭТ
 
 
ПРИМЕНЕНИЕ
 
 
Конвертеры ДК/ДК
Переключение нагрузки для портативных применений
 
 
Максимальные оценки (Та=25℃ если не указано иное)
Пластмасса транзистора влияния поля СОТ-23 Мос канала 20-В ХСИ2312 н (Д-С) помещает
 
Т =25 ℃ если не указано иное
 
Пластмасса транзистора влияния поля СОТ-23 Мос канала 20-В ХСИ2312 н (Д-С) помещает
 
Пластмасса транзистора влияния поля СОТ-23 Мос канала 20-В ХСИ2312 н (Д-С) помещаетПластмасса транзистора влияния поля СОТ-23 Мос канала 20-В ХСИ2312 н (Д-С) помещает
Запрос Корзина 0