CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
6 лет
Главная / продукты / Dual Switching Diode /

Высокоскоростной ПД 150мв пропускного напряжения диода переключения 1СС184 низкий

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

Высокоскоростной ПД 150мв пропускного напряжения диода переключения 1СС184 низкий

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 до 2 недели
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Номер модели :1SS184
Удостоверение личности продукта :Удостоверение личности продукта
Функция :Низкое пропускное напряжение
Тип :Диод переключения
PD :150mW
РθДжА :833℃/В
TJ :150℃
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Диод переключения 1СС184

 

ОСОБЕННОСТИ

  •  Низкое пропускное напряжение

  • Быстрое обратное время восстановления

 

Прибор твердые точка = литьевая масса зеленого цвета, если никакой, нормальный прибор.

 

Максимальные оценки @Та=25℃

 

Параметр Символ Предел Блок
Бесповторное пиковое обратное напряжение ВРМ 85 В
Напряжение тока ДК преграждая ВР 80 В
Передний непрерывно протекающий ток ИФМ 300 мамы
Среднее выпрямило течение выхода ИО 100 мамы
Бесповторное пиковое течение передней пульсации @т=8.3мс ИФСМ 2,0 А
Диссипация силы ПД 150 мВ
Термальное сопротивление от соединения к окружающему РθДжА 833 ℃/В
Температура соединения ТДж 150
Диапазон температур хранения ТСТГ -55~+150

Электрические характеристики @Та=25℃

 

Параметр Символ Минута Тип Макс Блок Условия
Обратное пробивное напряжение В (БР) 80     В ИР=100μА

 

Пропускное напряжение

ВФ1   0,60   В ИФ=1мА
ВФ2   0,72   В ИФ=10мА
ВФ3   0,9 1,2 В ИФ=100мА

 

Обратное течение

ИР1     0,1 уА ВР=30В
ИР2     0,5 уА ВР=80В
Емкость между терминалами КТ   0,9 3,0 пФ ВР=0, ф=1МХз
Обратное время восстановления т рр   1,6 4,0 нс ИФ=ИР=10мА, Ирр=0.1×ИР

 

Запрос Корзина 0