Символ	Параметр	Значение	Блок
ВКБО	Напряжение тока коллектора- база	80	В
ВКЭО	Напряжение тока коллектор- эмиттера	60	В
ВЭБО	Напряжение тока Излучател-основания	5	В
ИК	Течение сборника	1	А
ИКМ	Пиковое течение ИМПа ульс	2	А
ПК	Диссипация силы сборника	250	мВ
РΘДЖА	Термальное сопротивление от соединения к окружающему	500	℃/В
Тдж	Температура соединения	150	℃
Цтг	Температура хранения	-55~+150	℃

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Та=25℃ если не указано иное)

Параметр	Символ	Условия испытаний	Минута	Тип	Макс	Блок
Пробивное напряжение коллектора- база	В (БР) КБО	И_К=100μА, Т.Е. =0	80			В
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера	ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР)1	И_К=10мА, И_Б=0	60			В
пробивное напряжение Излучател-основания	В (БР) ЭБО	Т.Е. =100ΜА, И_К=0	5			В
Течение выключения сборника	ИКБО	В_КБ=60В, Т.Е. =0			0,1	μА
Течение выключения излучателя	ИЭБО	В_ЭБ=4В, И_К=0			0,1	μА
Увеличение ДК настоящее	хФЭ (1)	В_КЭ=5В, И_К=1мА	100
	хФЭ (2) 1	В_КЭ=5В, И_К=500мА	100		300
	хФЭ (3) 1	В_КЭ=5В, И_К=1А	80
	хФЭ (4) 1	В_КЭ=5В, И_К=2А	30
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера	(Сидеть) ВКЭ 1 1	И_К=500мА, И_Б=50мА			0,25	В
	(Сидеть) ВКЭ 2 1	И_К=1А, И_Б=100мА			0,5	В
напряжение тока сатурации Основани-излучателя	(Сидеть) ВБЭ 1	И_К=1А, И_Б=100мА			1,1	В
напряжение тока Основани-излучателя	1 ВБЭ	В_КЭ=5В, И_К=1А			1	В
Частота перехода	фТ	В_КЭ=10В, И_К=50мА, ф=100МХз	150			МХз
Емкость выхода сборника	Удар	В_КБ=10В, ф=1МХз			10	пФ

Измеренный под пульсированными условиями, ИМП ульс видтх=300μс, обязанность сикле≤2%.

Типичное Чарактериситикс

Размеры плана пакета

Символ	Размеры в миллиметрах		Размеры в дюймах
	Минута	Макс	Минута	Макс
А	0,900	1,150	0,035	0,045
А1	0,000	0,100	0,000	0,004
А2	0,900	1,050	0,035	0,041
б	0,300	0,500	0,012	0,020
к	0,080	0,150	0,003	0,006
Д	2,800	3,000	0,110	0,118
Э	1,200	1,400	0,047	0,055
Э1	2,250	2,550	0,089	0,100
е	0,950 ТИПА		0,037 ТИПА
е1	1,800	2,000	0,071	0,079
Л	0,550 РЭФ		0,022 РЭФ
Л1	0,300	0,500	0,012	0,020
θ	0°	8°	0°	8°

Эквивалент транзистора силы ФММТ491 высоковольтный НПН низко на сопротивлении

Транзистор силы Mosfet

Транзисторы силы подсказки

Транзистор силы кремния

Двойной переключая диод

Транзистор влияния поля Mos

Удваивает - Mosfet канала

Быстрый диод выпрямителя тока спасения

Стабилитрон силы

Выпрямитель по мостиковой схеме Schottky

Высоковольтный диод выпрямителя тока

Триод полупроводника

Стабилизатор IC напряжения тока

Эквивалент транзистора силы ФММТ491 высоковольтный НПН низко на сопротивлении

Отмечать: 491

updated power transistor npn

snubber circuit for igbt

npn transistor function