Символ	Параметр	Значение	Блок
ВКБО	Напряжение тока коллектора- база	-40	В
ВКЭО	Напряжение тока коллектор- эмиттера	-40	В
ВЭБО	Напряжение тока Излучател-основания	-5	В
ИК	Течение сборника	-600	мамы
ПК	Диссипация силы сборника	300	мВ
РΘДЖА	Термальное сопротивление от соединения к окружающему	417	℃/В
Тдж	Температура соединения	150	℃
Цтг	Температура хранения	-55~+150	℃

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Та=25℃ если не указано иное)

Параметр	Символ	Условия испытаний	Минута	Тип	Макс	Блок
Пробивное напряжение коллектора- база	В (БР) КБО	И_К=-100μА, Т.Е. =0	-40			В
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера	ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР)	И_К=-1мА, И_Б=0	-40			В
пробивное напряжение Излучател-основания	В (БР) ЭБО	Т.Е. =-100ΜА, И_К=0	-5			В
Течение выключения сборника	ИКБО	В_КБ=-35В, Т.Е. =0			-0,1	μА
Течение выключения сборника	ИКЭС	ВКЭ=-35В, ВБЭ=0.4В			-0,1	μА
Течение выключения излучателя	ИЭБО	В_ЭБ=-4В, И_К=0			-0,1	μА
Увеличение ДК настоящее	хФЭ1	В_КЭ=-1В, И_К=-0.1мА	30
	хФЭ2	В_КЭ=-1В, И_К=-1мА	60
	хФЭ3	В_КЭ=-1В, И_К=-10мА	100
	хФЭ4	В_КЭ=-2В, И_К=-150мА	100		300
	хФЭ5	В_КЭ=-2В, И_К=-500мА	20
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера	(Сидеть) ВКЭ	И_К=-150мА, И_Б=-15мА			-0,4	В
		И_К=-500мА, И_Б=-50мА			-0,75	В
напряжение тока сатурации Основани-излучателя	(Сидеть) ВБЭ	И_К=-150мА, И_Б=-15мА			-0,95	В
		И_К=-500мА, И_Б=-50мА			-1,3	В
Частота перехода	ф_т	В_КЭ=-10В, И_К=-20мА, ф =100МХз	200			МХз
Время задержки	т_д	ВКК=-30В, ВБЭ () =-0.5В ИК=-150мА, ИБ1=-15мА			15	нс
Время восхода	т_р				20	нс
Продолжительность хранения	т_с	ВКК=-30В, ИК=-150мА ИБ1=ИБ2=-15мА			225	нс
Время падения	т_ф				60	нс

Типичное Чарактериситикс

Размеры плана пакета

Символ	Размеры в миллиметрах		Размеры в дюймах
	Минута	Макс	Минута	Макс
А	0,900	1,150	0,035	0,045
А1	0,000	0,100	0,000	0,004
А2	0,900	1,050	0,035	0,041
б	0,300	0,500	0,012	0,020
к	0,080	0,150	0,003	0,006
Д	2,800	3,000	0,110	0,118
Э	1,200	1,400	0,047	0,055
Э1	2,250	2,550	0,089	0,100
е	0,950 ТИПА		0,037 ТИПА
е1	1,800	2,000	0,071	0,079
Л	0,550 РЭФ		0,022 РЭФ
Л1	0,300	0,500	0,012	0,020
θ	0°	8°	0°	8°

Высокая эффективность транзистора переключения ММБТ4403 НПН высокоскоростная

Транзистор силы Mosfet

Транзисторы силы подсказки

Транзистор силы кремния

Двойной переключая диод

Транзистор влияния поля Mos

Удваивает - Mosfet канала

Быстрый диод выпрямителя тока спасения

Стабилитрон силы

Выпрямитель по мостиковой схеме Schottky

Высоковольтный диод выпрямителя тока

Триод полупроводника

Стабилизатор IC напряжения тока

Высокая эффективность транзистора переключения ММБТ4403 НПН высокоскоростная

Отмечать: 2Т

5401dm transistor

j13009 transistor equivalent

2a npn transistor