Символ	Параметр	Значение	Блок
ВКБО	Напряжение тока коллектора- база	310	В
ВКЭО	Напряжение тока коллектор- эмиттера	305	В
ВЭБО	Напряжение тока Излучател-основания	5	В
И_К	Течение сборника - непрерывное	200	мамы
ИКМ	Пульсированное течение сборника -	500	мамы
П_К	Диссипация силы сборника	500	мВ
РθДжА	Термальное сопротивление от соединения к окружающему	250	℃/В
Т_Дж	Температура соединения	150	℃
Цтг	Температура хранения	-55~+150	℃

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Та=25℃ если не указано иное)

Параметр	Символ	Условия испытаний	Минута	Тип	Макс	Блок
Пробивное напряжение коллектора- база	В (БР) КБО	И_К=100ΜА, Т.Е. =0	310			В
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера	ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР)	И_К=1мА, И_Б=0	305			В
пробивное напряжение Излучател-основания	В (БР) ЭБО	Т.Е. =100ΜА, И_К=0	5			В
Течение выключения сборника	ИКБО	В_КБ=200В, Т.Е. =0			0,25	µА
	ИКЭС	В_КЭ=100В, В_С=5В			5	µА
		В_КЭ=300В, В_С=5В			10	µА
Течение выключения излучателя	ИЭБО	В_ЭБ=5В, И_К=0			0,1	µА
Увеличение ДК настоящее	хФЭ (1)	В_КЭ=10В, И_К=1мА	60
	хФЭ (2)	В_КЭ=10В, И_К=10мА	100		300
	хФЭ (3)	В_КЭ=10В, И_К=30мА	75
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера	(Сидеть) ВКЭ	И_К=20мА, И_Б=2мА			0,2	В
напряжение тока сатурации Основани-излучателя	(Сидеть) ВБЭ	И_К=20мА, И_Б=2мА			0,9	В
Частота перехода	ф_т	ВКЭ=20В, ИК=10мА, ф=30МХз	50			МХз

Типичные характеристики

Размеры плана пакета

Предложенный СОТ-89-3Л план пусковой площадки

Лента и вьюрок СОТ-89-3Л

Метки товара:

silicon npn power transistor

standard power mosfet

Запрос Корзина 0