Символ	Параметр	Значение	Блок
ВКБО	Напряжение тока коллектора- база	-40	В
ВКЭО	Напряжение тока коллектор- эмиттера	-30	В
ВЭБО	Напряжение тока Излучател-основания	-6	В
И_К	Течение сборника - непрерывное	-3	А
П_К	Диссипация силы сборника	0,5	В
РӨДЖА	Термальное сопротивление, соединение к окружающему	250	℃/В
Т_дж	Температура соединения	150	℃
Цтг	Температура хранения	-55~150	℃

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Та=25℃ если не указано иное)

Параметр	Символ	Условия испытаний	Минута	Тип	Макс	Блок
Пробивное напряжение коллектора- база	В (БР) КБО	И_К=-100μА, Т.Е. =0	-40			В
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера	ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР)	И_К= -10МА, И_Б=0	-30			В
пробивное напряжение Излучател-основания	В (БР) ЭБО	Т.Е. = -100ΜА, И_К=0	-6			В
Течение выключения сборника	ИКБО	В_КБ= -40В, Т.Е. =0			-1	μА
Течение выключения сборника	ИКЭО	В_КЭ=-30В, И_Б=0			-10	μА
Течение выключения излучателя	ИЭБО	В_ЭБ=-6В, И_К=0			-1	μА
Увеличение ДК настоящее	хФЭ	В_КЭ= -2В, И_К= -1А	60		400
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера	(Сидеть) ВКЭ	И_К=-2А, И_Б= -0.2А			-0,5	В
напряжение тока сатурации Основани-излучателя	(Сидеть) ВБЭ	И_К=-2А, И_Б= -0.2А			-1,5	В
Частота перехода	ф_т	В_КЭ= -5В, И_К=-0.1А ф =10МХз	50			МХз

Типичные характеристики

Размеры плана пакета

КЛАССИФИКАЦИЯ _ФЭ х

Ряд	Р	О	И	ГР
Ряд	60-120	100-200	160-320	200-400

Типичные характеристики

Метки товара:

updated power transistor npn

2a npn transistor

Запрос Корзина 0