CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
6 лет
Главная / продукты / Silicon Power Transistor /

МАМЫ течения сборника 600 кремния транзистора силы кремния 2СД965А материальные

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

МАМЫ течения сборника 600 кремния транзистора силы кремния 2СД965А материальные

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 до 2 недели
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Номер модели :2СД965А
Напряжение тока коллектора- база :40V
Течение сборника - непрерывное :5A
Цтг :-55~+150℃
Материал :кремний
Течение сборника :600 mA
Температура хранения :-55~+150℃
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

СОТ-89-3Л Пластмасс-помещают транзисторы 2СД965А 2СД965А

 

 

ОСОБЕННОСТЬ
  • Аудио усилитель
  • Внезапный блок камеры
  • Цепь переключения

 

Отмечать: Д965А

 

 

 

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (Та=25℃ если не указано иное)
 

СимволПараметрЗначениеБлок
ВКБОНапряжение тока коллектора- база-60В
ВКЭОНапряжение тока коллектор- эмиттера-60В
ВЭБОНапряжение тока Излучател-основания-4В
ИКТечение сборника-500мамы
ПКДиссипация силы сборника225мВ
РΘДЖАТермальное сопротивление от соединения к окружающему556℃/В
ТджТемпература соединения150
ЦтгТемпература хранения-55~+150

 
 
 
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Та=25℃ если не указано иное)
 

ПараметрСимволУсловия испытанийМинутаТипМаксБлок
Пробивное напряжение коллектора- базаВ (БР) КБОИК=0.1мА, Т.Е. =040  В
Пробивное напряжение коллектор- эмиттераГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР)ИК= 1мА. ИБ=030  В
пробивное напряжение Излучател-основанияВ (БР) ЭБОТ.Е. = 10μА, ИК=07  В
Течение выключения сборникаИКБОВКБ= 10В, Т.Е. =0  0,1μА
Течение выключения излучателяИЭБОВЭБ=7В, ИК=0  0,1μА

 
 

Увеличение ДК настоящее

хФЭ (1)ВКЭ= 2 в, ИК=1мА 200  
 хФЭ (2)ВКЭ= 2В, Ик = 500мА230 800 
 хФЭ (3)ВКЭ= 2В, ИК =2А150   
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера(Сидеть) ВКЭИК=3А, ИБ=0.1А  1В
Частота переходафтВКЭ=6В, ИК=50мА 150 МХз
Вне емкостьУдарВКБ=20 в, Т.Е. =0, ф=1МХз  50пФ

 
 
 
 

КЛАССИФИКАЦИЯ ФЭ х(2)

 

 

РядКРС
Ряд230-380340-600560-800

 
 
 

 

 Размеры плана пакета
 

СимволРазмеры в миллиметрахРазмеры в дюймах
 МинутаМаксМинутаМакс
А0,9001,1500,0350,045
А10,0000,1000,0000,004
А20,9001,0500,0350,041
б0,3000,5000,0120,020
к0,0800,1500,0030,006
Д2,8003,0000,1100,118
Э1,2001,4000,0470,055
Э12,2502,5500,0890,100
е0,950 ТИПА0,037 ТИПА
е11,8002,0000,0710,079
Л0,550 РЭФ0,022 РЭФ
Л10,3000,5000,0120,020
θ

 
 
МАМЫ течения сборника 600 кремния транзистора силы кремния 2СД965А материальные
 
 
 
Лента и вьюрок СОТ-89-3Л
МАМЫ течения сборника 600 кремния транзистора силы кремния 2СД965А материальные
МАМЫ течения сборника 600 кремния транзистора силы кремния 2СД965А материальные
МАМЫ течения сборника 600 кремния транзистора силы кремния 2СД965А материальные
 
 
 
 

Запрос Корзина 0