CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
6 лет
Главная / продукты / Silicon Power Transistor /

2Н5401 транзистор ВКБО -160В наивысшей мощности ПНП для электронных блоков

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

2Н5401 транзистор ВКБО -160В наивысшей мощности ПНП для электронных блоков

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 до 2 недели
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Номер модели :2N5401
ВКБО :-160В
ВКЭО :-150В
ВЭБО :-5В
Использование :Электронные блоки
TJ :150Š
Случае :Лента/поднос/вьюрок
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

ТО-92 Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов 2Н5401 (ПНП)

 

 

ОСОБЕННОСТЬ
 

 

Переключение и амплификация Ÿ в высоком напряжении

Применения Ÿ как телефонирование

Ÿ низкоточное

Высокое напряжение Ÿ

 

 

2Н5401 транзистор ВКБО -160В наивысшей мощности ПНП для электронных блоков

 

 

УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ

Номер детали Пакет Способ уплотнения прокладками Количество пакета
2Н5401 ТО-92 Большая часть 1000пкс/Баг
2Н5401-ТА ТО-92 Лента 2000пкс/Бокс

 

 

 

 

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (т =25 Š если не указано иное)

 

Символ Параметр Значение Блок
ВКБО Напряжение тока коллектора- база -160 В
ВКЭО Напряжение тока коллектор- эмиттера -150 В
ВЭБО Напряжение тока Излучател-основания -5 В
ИК Течение сборника -0,6 А
ПК Диссипация силы сборника 625 мВ
Р0 ДЖА Термальное сопротивление от соединения к окружающему 200 Š/В
Тдж Температура соединения 150 Š
Цтг Температура хранения -55~+150 Š

 

 

 

 


ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

 

 

Животики =25 Š если не указано иное

 

 

Параметр Символ Условия испытаний Минута Тип Макс Блок
Пробивное напряжение коллектора- база В (БР) КБО ИК= -0.1МА, Т.Е. =0 -160     В
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР) ИК=-1мА, ИБ=0 -150     В
пробивное напряжение Излучател-основания В (БР) ЭБО Т.Е. =-0.01МА, ИК=0 -5     В
Течение выключения сборника ИКБО ВКБ=-120В, Т.Е. =0     -50 нА
Течение выключения излучателя ИЭБО ВЭБ=-3В, ИК=0     -50 нА

 

Увеличение ДК настоящее

хФЭ (1) ВКЭ=-5В, ИК=-1мА 80      
хФЭ (2) ВКЭ=-5В, ИК=-10мА 100   300  
хФЭ (3) ВКЭ=-5В, ИК=-50мА 50      
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера (Сидеть) ВКЭ ИК=-50мА, ИБ=-5мА     -0,5 В
напряжение тока сатурации Основани-излучателя (Сидеть) ВБЭ ИК=-50мА, ИБ=-5мА     -1 В
Частота перехода фт ВКЭ=-5В, ИК=-10мА, ф =30МХз 100   300 МХз

 
  

КЛАССИФИКАЦИЯ ФЭ х(2)

РЯД А Б К
РЯД 100-150 150-200 200-300

 

 

 

 

Типичные характеристики

 

 


2Н5401 транзистор ВКБО -160В наивысшей мощности ПНП для электронных блоков 

2Н5401 транзистор ВКБО -160В наивысшей мощности ПНП для электронных блоков

2Н5401 транзистор ВКБО -160В наивысшей мощности ПНП для электронных блоков

2Н5401 транзистор ВКБО -160В наивысшей мощности ПНП для электронных блоков

 


 
 

 Размеры плана пакета
 

Символ Размеры в миллиметрах Размеры в дюймах
  Минута Макс Минута Макс
А 3,300 3,700 0,130 0,146
А1 1,100 1,400 0,043 0,055
б 0,380 0,550 0,015 0,022
к 0,360 0,510 0,014 0,020
Д 4,300 4,700 0,169 0,185
Д1 3,430   0,135  
Э 4,300 4,700 0,169 0,185
е 1,270 ТИП 0,050 ТИПА
е1 2,440 2,640 0,096 0,104
Л 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
х 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 


ТО-92 7ДСХ ДКГ 5ХХО

 

 2Н5401 транзистор ВКБО -160В наивысшей мощности ПНП для электронных блоков

2Н5401 транзистор ВКБО -160В наивысшей мощности ПНП для электронных блоков
 




 
 

Запрос Корзина 0