CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
6 лет
Главная / продукты / Silicon Power Transistor /

Транзисторы транзистора силы СОТ-23 кремния ММБТА55 НПН помещенные пластмассой

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

Транзисторы транзистора силы СОТ-23 кремния ММБТА55 НПН помещенные пластмассой

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 до 2 недели
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Номер модели :MMBTA55
Температура соединения :℃ 150
Тип :Транзистор триода
Применение :мобильный источник питания привел управление водителя/мотора
Материал :кремний
Течение сборника :600 mA
Температура хранения :-55~+150℃
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

СОТ-23 Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов ММБТА55 (НПН)

 

ОСОБЕННОСТЬ
 

л транзисторы водителя

 

Отмечать:

 

 

 

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (Та=25℃ если не указано иное)
 

Символ Параметр Значение Блок
ВКБО Напряжение тока коллектора- база -60 В
ВКЭО Напряжение тока коллектор- эмиттера -60 В
ВЭБО Напряжение тока Излучател-основания -4 В
ИК Течение сборника -500 мамы
ПК Диссипация силы сборника 225 мВ
РΘДЖА Термальное сопротивление от соединения к окружающему 556 ℃/В
Тдж Температура соединения 150
Цтг Температура хранения -55~+150

 
 
 
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Та=25℃ если не указано иное)
 

Параметр Символ Условия испытаний Минута Тип Макс Блок
Пробивное напряжение коллектора- база В (БР) КБО ИК=-100ΜА, ИЭ=0 -60     В
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР) ИК=-1мА, ИБ=0 -60     В
пробивное напряжение Излучател-основания В (БР) ЭБО ИЭ=-100ΜА, ИК=0 -4     В
Течение выключения сборника ИКБО ВКБ=-60В, ИЭ=0     -0,1 µА
Течение выключения сборника ИКЭО ВКЭ=-60В, ИБ=0     -0,1 µА
Увеличение ДК настоящее хФЭ (1) ВКЭ=-1В, ИК=-10мА 100   400  
  хФЭ (2) ВКЭ=-1В, ИК=-100мА 100      
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера (Сидеть) ВКЭ ИК=-100мА, ИБ=-10мА     -0,25 В
напряжение тока Основани-излучателя ВБЭ ВКЭ=-1В, ИК=-100мА     -1,2 В
Частота перехода фТ ВКЭ=-1В, ИК=-100мА, ф=100МХз 50     МХз

 
 
 

 

 Размеры плана пакета
 

Символ Размеры в миллиметрах Размеры в дюймах
  Минута Макс Минута Макс
А 0,900 1,150 0,035 0,045
А1 0,000 0,100 0,000 0,004
А2 0,900 1,050 0,035 0,041
б 0,300 0,500 0,012 0,020
к 0,080 0,150 0,003 0,006
Д 2,800 3,000 0,110 0,118
Э 1,200 1,400 0,047 0,055
Э1 2,250 2,550 0,089 0,100
е 0,950 ТИПА 0,037 ТИПА
е1 1,800 2,000 0,071 0,079
Л 0,550 РЭФ 0,022 РЭФ
Л1 0,300 0,500 0,012 0,020
θ

 
 
Транзисторы транзистора силы СОТ-23 кремния ММБТА55 НПН помещенные пластмассой
Транзисторы транзистора силы СОТ-23 кремния ММБТА55 НПН помещенные пластмассой
Транзисторы транзистора силы СОТ-23 кремния ММБТА55 НПН помещенные пластмассой
 
 
 
 

Запрос Корзина 0