Символ	Параметр	Значение	Блок
ВКБО	Напряжение тока коллектора- база	-310	В
ВКЭО	Напряжение тока коллектор- эмиттера	-305	В
ВЭБО	Напряжение тока Излучател-основания	-5	В
И_К	Течение сборника непрерывное	-200	мамы
ИКМ	Пульсированное течение сборника -	-500	мамы
П_К	Диссипация силы сборника	500	мВ
РθДжА	Термальное сопротивление от соединения к окружающему	250	℃/В
Т_дж	Температура соединения	150	℃
Цтг	Температура хранения	-55~+150	℃

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Та=25℃ если не указано иное)

Параметр	Символ	Условия испытаний	Минута	Тип	Макс	Блок
Пробивное напряжение коллектора- база	В (БР) КБО	И_К=-100ΜА, Т.Е. =0	-310			В
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера	ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР)	И_К=-1мА, И_Б=0	-305			В
пробивное напряжение Излучател-основания	В (БР) ЭБО	Т.Е. =-100ΜА, И_К=0	-5			В
Течение выключения сборника	ИКБО	В_КБ=-200В, Т.Е. =0			-0,25	µА
	ИКЭО	В_КЭ=-200В, И_Б=0			-0,25	µА
		В_КЭ=-300В, И_Б=0			-5	µА
Течение выключения излучателя	ИЭБО	В_ЭБ=-5В, И_К=0			-0,1	µА
Увеличение ДК настоящее	хФЭ (1)	В_КЭ=-10В, И_К=-1мА	60
	хФЭ (2)	В_КЭ=-10В, И_К=-10мА	100		300
	хФЭ (3)	В_КЭ=-10В, И_К=-80мА	60
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера	(Сидеть) ВКЭ	И_К=-20мА, И_Б=-2мА			-0,2	В
напряжение тока сатурации Основани-излучателя	(Сидеть) ВБЭ	И_К=-20мА, И_Б=-2мА			-0,9	В
Частота перехода	ф_т	В_КЭ=-20В, И_К=-10мА, ф=30МХз	50			МХз

Типичные характеристики

Размеры плана пакета

Предложенный СОТ-89-3Л план пусковой площадки

Лента и вьюрок СОТ-89-3Л

Метки товара:

silicon npn power transistor

a7 smd transistor

Запрос Корзина 0