CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
7 лет
Главная / продукты / Tip Power Transistors /

пластмасса транзисторов силы ТО-251-3Л подсказки 1.25В НПН Д882 - помещенные транзисторы

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

пластмасса транзисторов силы ТО-251-3Л подсказки 1.25В НПН Д882 - помещенные транзисторы

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 до 2 недели
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Номер модели :D882
ПК :1.25W
Температура соединения :℃ 150
Температура хранения :-55-150℃
Транзистор Mosfet силы :ТО-251-3Л Пластмасс-помещают
Материал :кремний
Тип :Транзистор триода
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

ТО-251-3Л Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов Д882 (НПН)

 

 

ОСОБЕННОСТЬ
 


Диссипация силы

 

 

 

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (т =25 Š если не указано иное)
 

Символ Параметр Значение Блок
ВКБО Напряжение тока коллектора- база 40 В
ВКЭО Напряжение тока коллектор- эмиттера 30 В
ВЭБО Напряжение тока Излучател-основания 6 В
ИК Течение сборника - непрерывное 3 А
ПК Диссипация силы сборника 1,25 В
ТДж Температура соединения 150
Цтг Температура хранения -55-150

 
 
 

 


ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

 

 

Животики =25 Š если не указано иное

Параметр Символ Условия испытаний Минута Тип Макс Блок
Пробивное напряжение коллектора- база В (БР) КБО Ик = 100μА, Т.Е. =0 40     В
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР) Ик = 10мА, ИБ=0 30     В
пробивное напряжение Излучател-основания В (БР) ЭБО Т.Е. = 100μА, ИК=0 6     В
Течение выключения сборника ИКБО ВКБ= 40 В, Т.Е. =0     1 µА
Течение выключения сборника ИКЭО ВКЭ= 30 В, ИБ=0     10 µА
Течение выключения излучателя ИЭБО ВЭБ= 6 В, ИК=0     1 µА
Увеличение ДК настоящее хФЭ ВКЭ= 2 в, ИК= 60   400  
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера (Сидеть) ВКЭ ИК= 2А, ИБ= 0,2 а     0,5 В
напряжение тока сатурации Основани-излучателя (Сидеть) ВБЭ ИК= 2А, ИБ= 0,2 а     1,5 В

 

Частота перехода

 

фт

ВКЭ= 5В, ИК=0.1А

ф =10МХз

 

 

90

 

 

МХз

 
  

КЛАССИФИКАЦИЯ ФЭ х(2)

Ряд Р О И ГР
Ряд 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 


Типичные характеристики

 

 
 пластмасса транзисторов силы ТО-251-3Л подсказки 1.25В НПН Д882 - помещенные транзисторыпластмасса транзисторов силы ТО-251-3Л подсказки 1.25В НПН Д882 - помещенные транзисторыпластмасса транзисторов силы ТО-251-3Л подсказки 1.25В НПН Д882 - помещенные транзисторыпластмасса транзисторов силы ТО-251-3Л подсказки 1.25В НПН Д882 - помещенные транзисторы

 


 
 

 

Запрос Корзина 0