CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
7 лет
Главная / продукты / Tip Power Transistors /

Тип триода полупроводника транзисторов силы ВКБО подсказки 3ДД13005ХД55 600В

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

Тип триода полупроводника транзисторов силы ВКБО подсказки 3ДД13005ХД55 600В

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 до 2 недели
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Номер модели :3ДД13005ХД55
Диссипация силы сборника :1.5W
Температура соединения :℃ 150
ВКБО :600v
Название продукта :тип триода полупроводника
Течение сборника :3.5A
Тип :Транзистор триода
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

ТО-126 Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов 3ДД13005ХД55 (НПН)

 

ОСОБЕННОСТЬ
 

Применения переключения силы Ÿ

Высокая температура Ÿ хорошая

Напряжение тока сатурации Ÿ низкое

Переключение Ÿ высокоскоростное

 

 

ОТМЕЧАТЬ

Код логотипа 13005ХД55=Девисе ДЖКЭТ

 

Тип триода полупроводника транзисторов силы ВКБО подсказки 3ДД13005ХД55 600В

 

 

УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ

Номер детали Пакет Способ уплотнения прокладками Количество пакета
3ДД13005ХД55 ТО-126 Большая часть 200пкс/Баг
3ДД13005ХД55-ТУ ТО-126 Трубка 60пкс/Тубе


 

 

 

 

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (т =25 Š если не указано иное)

 

Символ Параметр Значение Блок
ВКБО Напряжение тока коллектора- база 800 В
ВКЭО Напряжение тока коллектор- эмиттера 450 В
ВЭБО Напряжение тока Излучател-основания 9 В
ИК Течение сборника 3,5 А
ПК Диссипация силы сборника 1,5 В
РθДжА Термальное сопротивление от соединения к окружающему 83,3 ℃/В
Тдж Температура соединения 150
Цтг Температура хранения -55~+150

 

 

 

 


ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

 

 

Животики =25 Š если не указано иное


 

Животики =25 Š если не указано иное

Параметр Символ Условия испытаний Минута Тип Макс Блок
Пробивное напряжение коллектора- база В (БР) КБО ИК=1мА, Т.Е. =0 800     В
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера В (БР) КЭО* ИК=10мА, ИБ=0 450     В
пробивное напряжение Излучател-основания В (БР) ЭБО Т.Е. = 1мА, ИК=0 9     В
Течение выключения сборника ИКБО ВКБ=700В, Т.Е. =0     100 μА
Течение выключения сборника ИКЭО ВКЭ=450В, ИБ=0     100 μА
Течение выключения излучателя ИЭБО ВЭБ=9В, ИК=0     100 μА

 

Увеличение ДК настоящее

хФЭ (1) * ВКЭ=5В, ИК=1А 10   40  
хФЭ (2) * ВКЭ=5В, ИК=5мА 10      
хФЭ (3) * ВКЭ=5В, ИК=2А 5      

 

Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера

(Сидеть) ВКЭ 1 ИК=1А, ИБ=200мА     0,3 В
(Сидеть) ВКЭ 2 ИК=2А, ИБ=500мА     0,6 В

 

напряжение тока сатурации Основани-излучателя

(Сидеть) ВБЭ 1 ИК=2А, ИБ=500мА     1,2 В
(Сидеть) ВБЭ 2 ИК=500мА, ИБ=100мА     1 В
пропускное напряжение Излучател-сборника ЭК ВФ ИК=2А     2 В
Частота перехода фт ВКЭ=10В, ИК=500мА 5     МХЗ
Продолжительность хранения ц ИК=250мА (УИ9600)     5 µс

 

 


Типичные характеристики

 

 Тип триода полупроводника транзисторов силы ВКБО подсказки 3ДД13005ХД55 600ВТип триода полупроводника транзисторов силы ВКБО подсказки 3ДД13005ХД55 600В
 

 

Размеры плана пакета ТО-92

 

Символ Размеры в миллиметрах Размеры в дюймах
  Минута Макс Минута Макс
А 2,500 2,900 0,098 0,114
А1 1,100 1,500 0,043 0,059
б 0,660 0,860 0,026 0,034
б1 1,170 1,370 0,046 0,054
к 0,450 0,600 0,018 0,024
Д 7,400 7,800 0,291 0,307
Э 10,600 11,000 0,417 0,433
е 2,290 ТИП 0,090 ТИПА
е1 4,480 4,680 0,176 0,184
х 0,000 0,300 0,000 0,012
Л 15,300 15,700 0,602 0,618
Л1 2,100 2,300 0,083 0,091
П 3,900 4,100 0,154 0,161
Φ 3,000 3,200 0,118 0,126

 

 

Тип триода полупроводника транзисторов силы ВКБО подсказки 3ДД13005ХД55 600В

 

 

Запрос Корзина 0