CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
7 лет
Главная / продукты / Tip Power Transistors /

Цепь транзистора 3ДД13003 НПН, напряжение тока коллектор- эмиттера 400В транзистора силы НПН

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

Цепь транзистора 3ДД13003 НПН, напряжение тока коллектор- эмиттера 400В транзистора силы НПН

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 до 2 недели
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Номер модели :3DD13003
Напряжение тока коллектора- база :700V
Напряжение тока коллектор- эмиттера :400V
Течение сборника - непрерывное :1.5A
Название продукта :тип триода полупроводника
Диссипация силы сборника :2w
Тип :Транзистор триода
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

ТО-220-3Л Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов 3ДД13003 (НПН)

 

ОСОБЕННОСТЬ
 

· применения переключения силы

 

 

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (т =25 Š если не указано иное)

 

Символ Параметр Значение Блок
ВКБО Напряжение тока коллектора- база 700 В
ВКЭО Напряжение тока коллектор- эмиттера 400 В
ВЭБО Напряжение тока Излучател-основания 9 В
ИК Течение сборника - непрерывное 1,5 А
ПК Диссипация силы сборника 2 В
ТДж Температура соединения 150
Цтг Температура хранения -55~150

 

 

 

 


ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

 

 

Животики =25 Š если не указано иное


 

Животики =25 Š если не указано иное

Параметр

Символ

Имбол с

Условия испытаний Минута Тип Макс Блок
Пробивное напряжение коллектора- база В (БР) КБО ИК =5МА, Т.Е. =0 700     В
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР) ИК=10мА, ИБ=0 400     В
пробивное напряжение Излучател-основания В (БР) ЭБО Т.Е. =2МА, ИК=0 9     В
Течение выключения сборника ИКБО ВКБ=700В, Т.Е. =0     1 мамы
Течение выключения сборника ИКЭО ВКЭ=400В, ИБ=0     0,5 мамы
Течение выключения излучателя ИЭБО ВЭБ=9В, ИК=0     1 мамы

 

Увеличение ДК настоящее

хФЭ1 ВКЭ=5В, ИК= 0,5 А 8   40  
  хФЭ2 ВКЭ=5В, ИК= 1.5А 5      
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера (Сидеть) ВКЭ ИК=1А, ИБ=0.25А     0,6 В
напряжение тока сатурации Основани-излучателя (Сидеть) ВБЭ ИК=1А, ИБ=0.25А     1,2 В
Частота перехода фт ВКЭ=10В, Ик=100мА, ф =1МХз 5     МХз
Время падения тф ИК=1А, ИБ1=-ИБ2=0.2А, ВКК=100В     0,5 µс
Продолжительность хранения тС ИК=250мА (УИ9600) 2   4 μс

 

 

КЛАССИФИКАЦИЯ хФЭ1

Ряд 8-10 10-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

 

КЛАССИФИКАЦИЯ тС

 

Ряд А1 А2 Б1 Б2
Ряд 2-2.5 (μс) 2.5-3 (μс) 3-3.5 (μс) 3.5-4 (μс 

 
 

 

Размеры плана пакета ТО-92

 

Символ Размеры в миллиметрах Размеры в дюймах
  Минута Макс Минута Макс
А 4,470 4,670 0,176 0,184
А1 2,520 2,820 0,099 0,111
б 0,710 0,910 0,028 0,036
б1 1,170 1,370 0,046 0,054
к 0,310 0,530 0,012 0,021
к1 1,170 1,370 0,046 0,054
Д 10,010 10,310 0,394 0,406
Э 8,500 8,900 0,335 0,350
Э1 12,060 12,460 0,475 0,491
е 2,540 ТИП 0,100 ТИПА
е1 4,980 5,180 0,196 0,204
Ф 2,590 2,890 0,102 0,114
х 0,000 0,300 0,000 0,012
Л 13,400 13,800 0,528 0,543
Л1 3,560 3,960 0,140 0,156
Φ 3,735 3,935 0,147 0,155

 

 

Цепь транзистора 3ДД13003 НПН, напряжение тока коллектор- эмиттера 400В транзистора силы НПН

 

 

Запрос Корзина 0