CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
6 лет
Главная / продукты / Tip Power Transistors /

Материал кремния транзисторов силы Б772М подсказки ТО-251-3Л ПНП ВКЭО -30В

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

Материал кремния транзисторов силы Б772М подсказки ТО-251-3Л ПНП ВКЭО -30В

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 до 2 недели
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Номер модели :Б772М
ВКБО :-40в
ВКЭО :-30В
Температура хранения :-55-150℃
Транзистор Mosfet силы :ТО-251-3Л Пластмасс-помещают
Материал :кремний
Тип :Транзистор триода
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

ТО-251-3Л Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов Б772М (ПНП)

 

 

ОСОБЕННОСТИ

 

Низкоскоростное переключение

 

 

 

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (т =25 Š если не указано иное)
 

Символ Параметр Значение Блок
ВКБО Напряжение тока коллектора- база -40 В
ВКЭО Напряжение тока коллектор- эмиттера -30 В
ВЭБО Напряжение тока Излучател-основания -6 В
ИК Течение сборника - непрерывное -3 А
ПК Диссипация силы сборника 1,25 В
РӨДЖА Термальное сопротивление, соединение к окружающему 100 ℃/В
Тдж Температура соединения 150
Цтг Температура хранения -55-150

 
 
 

 


ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

 

 

Животики =25 Š если не указано иное

Параметр Символ Условия испытаний Минута Тип Макс Блок
Пробивное напряжение коллектора- база В (БР) КБО ИК=-100μА, Т.Е. =0 -40     В
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР) ИК= -10МА, ИБ=0 -30     В
пробивное напряжение Излучател-основания В (БР) ЭБО Т.Е. = -100ΜА, ИК=0 -6     В
Течение выключения сборника ИКБО ВКБ= -40В, Т.Е. =0     -1 μА
Течение выключения сборника ИКЭО ВКЭ=-30В, ИБ=0     -10 μА
Течение выключения излучателя ИЭБО ВЭБ=-6В, ИК=0     -1 μА
Увеличение ДК настоящее хФЭ ВКЭ= -2В, ИК= -1А 60   400  
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера (Сидеть) ВКЭ ИК=-2А, ИБ= -0.2А     -0,5 В
напряжение тока сатурации Основани-излучателя (Сидеть) ВБЭ ИК=-2А, ИБ= -0.2А     -1,5 В

 

Частота перехода

фТ

ВКЭ= -5В, ИК=-0.1А

ф =10МХз

 

50

 

80

 

 

МХз

 
  

КЛАССИФИКАЦИЯ ФЭ х(2)

Ряд Р О И ГР
Ряд 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 


Типичные характеристики

 

 
 Материал кремния транзисторов силы Б772М подсказки ТО-251-3Л ПНП ВКЭО -30ВМатериал кремния транзисторов силы Б772М подсказки ТО-251-3Л ПНП ВКЭО -30ВМатериал кремния транзисторов силы Б772М подсказки ТО-251-3Л ПНП ВКЭО -30ВМатериал кремния транзисторов силы Б772М подсказки ТО-251-3Л ПНП ВКЭО -30В

 

 

 

Символ Размеры в миллиметрах Размеры в дюймах
Минимальный. Макс. Минимальный. Макс.
А 2,200 2,380 0,087 0,094
А1 0,000 0,100 0,000 0,004
Б 0,800 1,400 0,031 0,055
б 0,710 0,810 0,028 0,032
к 0,460 0,560 0,018 0,022
к1 0,460 0,560 0,018 0,022
Д 6,500 6,700 0,256 0,264
Д1 5,130 5,460 0,202 0,215
Э 6,000 6,200 0,236 0,244
е 2,286 ТИП. 0,090 ТИПА.
е1 4,327 4,727 0,170 0,186
М 1.778РЭФ. 0.070РЭФ.
Н 0.762РЭФ. 0.018РЭФ.
Л 9,800 10,400 0,386 0,409
Л1 2.9РЭФ. 0.114РЭФ.
Л2 1,400 1,700 0,055 0,067
В 4,830 РЭФ. 0,190 РЭФ.
ĭ 1,100 1,300 0,043 0.0±1

 

 

 

Материал кремния транзисторов силы Б772М подсказки ТО-251-3Л ПНП ВКЭО -30В

 

Материал кремния транзисторов силы Б772М подсказки ТО-251-3Л ПНП ВКЭО -30В

Материал кремния транзисторов силы Б772М подсказки ТО-251-3Л ПНП ВКЭО -30ВМатериал кремния транзисторов силы Б772М подсказки ТО-251-3Л ПНП ВКЭО -30В

 

 


 
 

 

Запрос Корзина 0